光电技术第五周周二已授.pptxVIP

OptoelectronicDetectionTechnology光电探测技术光电技术·第五周周二授课｜探测器原理、特性与应用

Contents课程目录光电探测技术的物理基础、核心器件与工程应用全景导览。01半导体物理基础回顾02光电效应与探测机理03光电探测器类型与原理04性能参数与工程应用

CHAPTER01半导体物理基础回顾从能带理论到载流子输运，构建光电探测的物理基础

光电探测技术半导体能带结构与光电探测基础半导体的禁带宽度Eg是决定光电探测能力的核心参数半导体能带结构：价带、导带与禁带01禁带宽度Eg决定光学吸收特性：硅Eg≈1.12eV（对应波长约1100nm），锗Eg≈0.67eV（对应波长约1850nm）02本征半导体中电子跃迁需吸收≥Eg的能量，光生电子-空穴对的产生是光电探测器工作的物理前提03掺杂引入施主能级（N型）或受主能级（P型），降低激发所需能量，显著提升对弱光信号的灵敏度04长波截止波长λc=1.24/Eg(μm)，选择探测器材料时必须使λc覆盖目标信号波段

CarrierTransport载流子输运与复合机制光生载流子的有效收集是探测器性能的关键：载流子在输运过程中面临扩散、漂移和复合三种竞争机制，器件设计的核心目标是通过内建电场或外加偏压最大化载流子的收集效率、最小化复合损失。01载流子浓度由本征激发和掺杂共同决定本征载流子浓度n