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模拟IC设计工程师考试试卷及答案

模拟IC设计工程师考试试卷

一、填空题（共10题，每题1分，共10分）

1.理想运放的虚短是指______相等。

2.MOS管饱和区的条件是Vgs-Vth______Vds（填“≥”或“≤”）。

3.热噪声的功率谱密度与______成正比。

4.负反馈的四种类型包括电压串联、电压并联、______、______。

5.共模抑制比CMRR定义为______之比。

6.锁相环PLL由鉴相器、______、压控振荡器组成。

7.模拟电路中常用的偏置电流源是______电流源。

8.运算放大器的开环增益通常用______表示（单位）。

9.电容的单位换算：1μF=______pF。

10.差分放大器的差模增益是共模增益的______倍。

二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.以下哪种噪声属于1/f噪声？（）

A.热噪声B.散粒噪声C.闪烁噪声D.雪崩噪声

2.MOS管在饱和区的漏极电流与哪个电压的平方成正比？（）

A.VgsB.VdsC.Vgs-VthD.Vth

3.理想运放的输入电阻是？（）

A.0B.无穷大C.1kΩD.1MΩ

4.负反馈的作用不包括？（）

A.提高增益稳定性B.减小非线性失真C.增大带宽D.增大输出电阻

5.锁相环中哪个模块将相位差转换为电压？（）

A.鉴相器B.环路滤波器C.压控振荡器D.分频器

6.共模信号是指差