- 0
- 0
- 约1.54万字
- 约 13页
- 2026-09-14 发布于山东
- 举报
光刻机系统设计计算书
第一章绪论
1.1设计背景与目的
光刻机是集成电路制造中最核心、最复杂的装备之一,其性能直接决定了芯片制
程的技术节点。本设计计算书针对步进扫描投影式光刻机的核心子系统展开系统的设
计计算,涵盖光学成像系统、照明系统、精密机械系统、对准与套刻系统、调焦调平
系统等关键模块。
本计算书参照GB/T44928-2024《微电子学微光刻技术术语》及国际半导体技术路
线图相关规范,以193nmArF准分子激光光源、数值孔径NA=0.93的干式投影光刻机
为设计对象,目标分辨力为65nm,套刻精度优于5nm。
1.2设计依据与引用标准
标准编号标准名称
GB/T44928-2024微电子学微光刻技术术语
SEMIP19光刻胶分辨率测试标准
ISO10110光学元件与系统制图标准
ITRSRoadmap
原创力文档

文档评论(0)