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- 2026-09-16 发布于辽宁
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行业观点铜互连逼近介质极限,PTFE混压成为RubinUltra潜在路线之一。随着SerDes速率从224G向448G迭代,铜互连瓶颈由导体转向介质,介质损耗对信号完整性约束显著增强,PTFE成为下一代潜在低损耗解决方案。产业并未选择整板使用PTFE,而是探讨PTFE作为芯层搭配M9级半固化片提供机械支撑的混压结构,兼顾高频信号性能与工艺可制造性,降低设备改造与工艺切换成本。国内产业链已经形成基材、加工环节的技术储备,但该方案尚未最终定案,能否落地取决于量产时点PTFE材料供给、PCB厂商混压工艺良率与成熟度。RubinUltraNVL576原定2027年下半年推出,Kyber机架存在制造延期传闻,平台功耗密度与互联复杂度大幅抬升,倒逼底层互连材料升级,PTFE混压路线的产业化时间窗口存在弹性,需要持续跟踪板厂验证进度。PTFE信号性能优异,但热塑性属性大幅抬高加工制造门槛,球形硅微粉改性是实现量产的关键。PTFE分子低极性带来优异介电指标,10GHz条件下介电损耗低于0.0004,性能优于M9等级覆铜板,同时碳氟键赋予材料突出化学稳定性,是突破现有碳氢树脂性能天花板的候选材料。但PTFE属于热塑性材料,无交联固化反应,存在压合稳定性差、钻孔易产生毛刺、化学惰性造成孔金属化附着力不足等难题,需要等离子体等特殊工艺处
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