教师备课纸
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课题
芯片制造
课型
理实
授课班级
集成电路大专班
授课时数
8
教学目标
1.理解直拉法生长单晶硅的核心原理及关键步骤;
2.熟知氧化、淀积等薄膜制备技术的分类、原理及应用场景;
3.掌握光刻工艺步骤,刻蚀、掺杂的分类和原理,以及化学机械抛光的工作原理。
教学重点
1.直拉法制备单晶硅的六大核心步骤和光刻工艺的八大流程;
2.薄膜制备技术中PVD、CVD、ALD的原理差
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