存储技术革新与发展趋势.pptVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.7万字
  • 约 72页
  • 2026-09-20 发布于北京
  • 举报

第3章存放器技术3.1存放器介绍3.2读/写存放器3.3存放器管理3.3IBMPC/XT中的存放空间分配3.4内部存放器技术发展3.5外部存放器第1页

3.1存放器介绍3.1.1 存放器分类按照组成存放器介质材料的不同来分类,存放器可分为半导体存放器、磁存放器、激光存储器、纸卡存放器。按照工作方式的不同来分类,半导体存放器又可分为随机读写存放器RAM(RandomAccessMemory)和只读存放器ROM(ReadOnlyMemory)。返回下一页第2页

3.1存放器介绍1.随机读写存放器RAM随机读写存放器RAM就是对其中存放单元能够随机访问的存放器芯片。按其制造工艺又可分为双极性RAM和金属氧化物RAM。双极性RAM的主要特点是存取速度快,通常在几到几十纳秒。因此,双极性RAM主要用于要求存取速度高的微型计算机中;而金属氧化物RAM集成度高,伴随存放器技术的发展,其存取速度也达成十纳秒左右,且价格廉价,因此,广泛应用于当代生产的各种微型计算机中。金属氧化物RAM又可分为静态读写存放器SRAM(StaticRAM)和动态读写存放器DRAM(DynamicRAM)。DRAM的最大的特点是集成度尤其高,目

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档