原创力文档中文摘要
摘要
SiC
碳化硅（）作为第三代宽禁带半导体材料，因其低密度、耐高温及抗腐蚀
等优异特性，在极端环境下的众多领域展现出巨大潜力。但是由于本征SiC载流
子浓度低、介电损耗能力有限，导致其电磁功能化上存在损耗能力欠缺和阻抗失
配的。而解决这一问题的传统元素掺杂工艺存在的反应时间长、能耗高且掺杂不
均匀等问题，本研究采用溶胶-凝胶法结合微波加热烧结技术，高效、快速地制备
B
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SiC
碳化硅（）作为第三代宽禁带半导体材料，因其低密度、耐高温及抗腐蚀
等优异特性，在极端环境下的众多领域展现出巨大潜力。但是由于本征SiC载流
子浓度低、介电损耗能力有限，导致其电磁功能化上存在损耗能力欠缺和阻抗失
配的。而解决这一问题的传统元素掺杂工艺存在的反应时间长、能耗高且掺杂不
均匀等问题，本研究采用溶胶-凝胶法结合微波加热烧结技术，高效、快速地制备
B
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