磁流变阻尼器的双sigmoid模型及试验验证.pdf

第19卷第2期 振 动 工 程 学 报 V01．19No．2 2006年6月 ofVibration Jun．2006 Journal Engineering 磁流变阻尼器的双sigmoid模型及试验验证 李秀领，李宏男 (大连理工大学海岸和近海工程国家重点实验室，辽宁大连116024) 摘要：在对MRD进行力学性能试验研究的基础上，提出一个新的力学模型一双sigmoid模型。该模型的突出优点是 考虑了施加电流、激励性质等因素的影响，且参数识别容易、物理概念清晰。在不同激励性质和电流下，该模型与试 验结果相比均能较准确地描述MRD低速区的滞回非线性及在高速区的饱和特性。 关键词：磁流变阻尼器；建模；试验研究；双sigmoid模型；滞回非线性特性 中图分类号：TB381；TU352．1文献标识码；A 文章编号：1004—4523(2006)02—0168—05 引 言 1 MRD的力学性能试验 磁流变阻尼器(简称MRD)作为一种优良的半 主动控制作动器，具有结构简单、易安装、响应快、功 型MRD(图1)，属于剪切阀式单出杆式阻尼器。活塞 A。 耗低、阻尼力大且连续顺逆可调和无噪音等优点。近 杆行程为52mm，最大输入电流2 年来MRD已成为国际振动控制领域广泛研究的热 补偿器膜片线圈磁流液密封圈 点，有望取代普通的被动耗能阻尼器[1~3]。 建立较为精确的MRD计算模型是成功进行半 主动控制首先要解决的问题。但流变后的磁流变液 节流孔 控制线 呈现出很强的非线性，利用流变力学理论分析非常 图1 MRD构造详图 困难，因此一般都是基于MRD力学性能试验来建 立其计算模型[引。Spencer等在Bouc—Wen模型的基 采用MTS材料试验系统，在不同电流及加载频 础上提出的现象模型[5]，能很好模拟MRD滞回非线 率和振幅的组合下进行试验。 性，但参数识别较烦，对电流近似太大，由于该模型 在每一时间步长需求解数个微分方程，时间步长必 同电流下MRD的厶一d、^一V曲线，由内到外对应的 须非常小(达o．1ms)，这对仿真试验带来很大困难。 王恩荣等用对称的sigmoid函数来描述MRD的力 Hz；图2(d)是不 学性能[6]，并考虑激励性质和控制电流的影响，但模 外对应的频率分别为0．6，1，2，3，5 型参数辨识较困难，且物理概念不甚清晰。翁建生等 同加载振幅下MRD的厶一口曲线，由内到外对应的 振幅分别为2．5，5，lO，15mm。 利用反正切函数建立的模型Iv]，可反映MRD的滞回 由图2可得出以下结论： 特性，并考虑了电流的影响。 (1)MRD的最大阻尼力随电流递增，但增加的 本文在MRD的力学性能试验的基础上，提出 幅度逐渐降低，并出现饱和现象。 双sigmoid模型，该模型综合考虑激励性质和控制