第四章 微细加工中的薄膜技术.pptVIP

第四章 微细加工中的薄膜技术 微电子技术可分为三种主要形式：单片技术(包括集成电路、中规模和大规模集成电路)，薄膜混合技术和厚膜混合技术。 目前集成电路技术中使用着品种繁多的沉积膜。近年来，由于各种VLSI(超大规模集成电路)提出了新的要求，使沉积膜的种类大为增加。绝缘膜和导电膜都在应用，这两者的界线也并非很严格，因为有些膜在沉积时是绝缘薄膜，而进行处理后则制成导电膜。甚至“沉积”一词也不严格，因为有些膜以元素形式沉积，然后通过与半导体的化学反应变成化合物。 根据沉积膜要完成的主要功能进行分类最为方便。有些沉积膜的功能属于电子学的性质，有些沉积膜则是属于工艺上的要求。一些不同类型的膜用作绝缘保护层，在其上面布线互连；有的沉积膜制成掩膜，用作扩散或离子注入；有的膜本身起掺杂作用；还有的沉积膜使工艺过程大大简化，如MOS集成电路的自对准栅极工艺。 许多薄膜以及薄膜的组合，可以用来形成欧姆接触以及集成电路器件之间的互连。有些膜还可以完成器件的功能，如在肖特基二极管及肖特基栅场效应晶体管中。 第一节??? 物理气相沉积 在集成电路制造中，沉积金属薄膜最常用的方法是物理气相沉积技术。它包括真空蒸发、直流溅射和RF(射频)溅射。新近发展起来的磁控溅射和离子束沉积，是RF溅射方法的进一步改进。 真空蒸发时，必须把待沉积金属加热，使其原子获得足够的能量而脱离金属表面。当蒸发出来的金属原子在飞行途中遇到基片时，就沉积在基片表面而形成金属薄膜。 根据热源的不同，蒸发可分为电阻加热蒸发和电子束蒸发两种。由于前者易带来杂质污染，特别是钠离子污染，而且很难沉积高熔点金属和合金薄膜，因此在VLSI制造中常采用电子束蒸发和溅射法。 一、物理气相沉积的基础 真空蒸发或溅射系统在薄膜沉积之前必须抽成高真空，否则系统中残存的氧分子会使蒸发出来的金属原子氧化。此外，系统真空度低时，会缩短蒸发出来的金属原子的平均自由程，使其不能依直线方式到达基片。 二、电子束蒸发 当高速电子与蒸发源表面碰撞时就放出能量，使蒸发源材料熔融而气化，并沉积在基片表面。少量从蒸发源表面反射出来的反射电子和二次电子，将受磁场的作用而偏转，最后被接地的吸收极所吸收，从而避免了这些高能电子对基片的损伤。 电子束蒸发的主要优点是沉积膜的纯度高，钠离子污染少。由于蒸发材料仅在表面中心附近受电子束轰击处熔融并气化，而与水冷坩埚接触处的源材料因热量迅速被冷却水带走，故不会与坩埚发生反应，因而能保证沉积膜的纯度。 三、溅射沉积 1．直流二极溅射(阴极溅射) 直流二极溅射装置的结构简单，能在大面积基片上沉积均匀的薄膜。其缺点是放电电流容易随电压和气体的压强而变化，沉积速率不易控制。由于直流二极溅射是冷阴极气体放电，需要使用较高的电压和气压，而较高的气压会使沉积速率降低，沉积膜中的杂质含量增加。另外，直流二极溅射只适用于溅射导电材料，而不能用来溅射介质。 2．RF(射频)溅射 直流溅射只能溅射金属而无法溅射绝缘材料，因为在绝缘材料上加上直流负高压后，带正电荷的离子撞击到绝缘材料的靶上时，正电荷会堆积在靶表面，从而排斥后续正离子继续向靶轰击，阻止了溅射的进行。而RF溅射是在绝缘材料的背面加上一个金属电极，并在此电极上加上高频电压，从而在绝缘材料中感应产生位移电流。这样，在负半周内绝缘材料表面积聚的正电荷就可以在正半周内被中和，使溅射可以继续进行，从而实现了绝缘材料薄膜的溅射沉积。 RF溅射使用的频率为13.56MHz，它不需要热阴极，能在较低的气压和较低的电压下进行溅射。RF溅射不仅可以沉积金属膜，而且可以沉积多种材料的绝缘介质膜，因而使用范围较广。近年来发展起来的射频磁控溅射，显示了其更大的优越性。 溅射沉积的特点 ①能够沉积与靶材料成分相类似的合金膜。 ②在膜中含有Ar(＜2％)和本底气体(＜1％)。 ②在直流二极溅射系统中，由于靶的二次电子发射，使基片温度可达350℃。由于射频能量常可以加到基片上，因而引起基片受离子轰击。 如果溅射在沉积前进行，则这种过程称为“溅射腐蚀”。溅射腐蚀可以从窗口区清除残留膜，因而增强了金属与裸露区的接触。如果溅射能量在膜沉积时加上去，那就是一种偏置溅射系统，它可以提高膜的台阶覆盖能力。 四、磁控溅射 平板型磁控溅射源示意图 磁控溅射不仅可以溅射各种合金和难熔金属，而且在溅射合金时可以避免蒸发沉积层合金成分的偏离。磁控溅射中基片可以不加热，而且从阴极表面发射的二次电子由于受到磁场的束缚而不再轰击基片，从而避免了基片的温升和器件特性的退化。由于电磁场的作用，提高了气体分子的离化率，因而磁控溅射可在较低的气压下工作，这有利于提高薄膜的纯度。磁控溅射沉积膜具有较好的均匀性、重复性以及良好的台阶覆盖能力，因此在集成电路，特别是在VLSI工艺中得到了越来越广