离子注入和退火对3.3V NMOS热载流子注入效应的影响.docVIP

  离子注入和退火对 3.3V NMOS 热载流子注 入效应的影响 张斌* 5 10 15 20 25 30 35 （上海交通大学微电子学院，上海 201203） 摘要：在半导体工艺中，在摩尔定律的指导下，器件的关键尺寸不断缩小，以此来不断提升 器件的性能，而且为了保持器件性能以及集成性，器件的工作电压一般来说不会按比例缩小， 这就导致了器件的退化现象，也就是我们可靠性所要评估的器件性能。本文以 90nm 工艺为 基础来简单说明了器件的热载流子注入效应相的现状和机理，以及在现有条件下提出了改善 热载流子注入效应的方法，并设计实验验证。实验结果显示，通过优化现有工艺的 LDD 注 入和退火条件可以明显的改善器件的热载流子注入效应。 关键词：可靠性；热载流子注入效应；LDD 注入；横向电场 中图分类号：TN386.1 The Effect of Ion Implatation and Annealing on the Hot Carrier Injection of 3.3V NMOS Zhang Bin (Shanghai Jiao Tong University Schoocl of Microeletronics, ShangHai 201203) Abstract: In semiconductor technology, due to the impact of Moores law, the key size is continue beeing reduecd. It is a good way to improve the device performance via shrink the key size of the device. And all keep the voltage of the device stable to keep the devices performance and integration, which will cause the degradation of the device, as a work of the reliability. In this paper, we analysis the current status of the hot carrier injection and the mechanism of it, and then provide the improvement mothed based on current process condition. Then plan experiment with the mothed and test the wafer with different condition. The test result showed, opmizie the Ion implatation and annealing condition can obvious improve the hot carrier injiection of the device. Keywords: Reliability; Hot Carrier Injection; LDD Implatation; Horizontal Field 0 背景 随着半导体工艺的进步发展，关键尺寸越来越小，相应的栅极氧化层厚度也随之减小， 但是为了保持器件的性能，相应的器件工作电压却没有变化，这就导致了可靠性问题在半导 体制造过程中变得越来越突出。 半导体工业的发展一直遵循摩尔定律，并在其指导下不断进入一个个更先进的节点。表 1 显示出器件的各个参数变化的规律。在这样的背景下面，器件性能是在不断提高，但是工 艺流程和可靠性提升的难度都在不断增加。 同时，伴随着应用范围扩大，半导体制造的可靠性标准也在不断提高，由 T50 标准提 升到了 T0.1。从我们工艺的角度来看，这样的改变必然会引起工艺流程的改变，由此也就 引起了我们 90nm 下 3.3V NMOS 的热载流子注入效应的改善。 40 45 作者简介：张斌，(1982-)，现就职于中芯国际，任 PIE 工程师。E-mail: cat_2010_rain@163.com -1- 表 1 半导体器件发展线路表 Tab1 Semiconductor device development route table 1 90nm 3.3V NMOS 的热载流子效应现状分析   50 55 60 在我们现有的工艺条件下，器件各个参数满足标准，并且已稳定的匹配工艺流程，而且 也已通过标准的可靠性测试。但是，这是以 T50 标准判定，而在同等工艺节点下的主流标 准是 T0.1，由此我们必须改善我们的工