- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
硅基 ZnO 纳米棒阵列薄膜的表面光伏特性
研究
轩君,刘爱民,桑永昌,张炳烨,刘一婷,刘国强**
5
10
15
20
25
30
35
40
(大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁 大连 116024)
摘要:为研究硅基 ZnO 纳米棒阵列薄膜的表面光伏特性,采用籽晶辅助化学水浴沉积法:即
先用磁控溅射法在 P-Si(100)衬底上制备一层 ZnO 薄膜作为籽晶层,然后利用化学水浴沉积
法生长 ZnO 纳米棒阵列薄膜。利用扫描电子显微镜、X 射线衍射仪和光致发光谱对样品进行
表征,结果表明,硅衬底上生长的 ZnO 纳米棒基本沿 C 轴生长,薄膜杂质缺陷极少,具有良
好的紫外发光特性。基于 Kelvin 探针扫描系统的表面光伏技术被用于研究硅基 ZnO 纳米棒
阵列薄膜的表面光伏特性。表面光伏和它的时间分辨过程被用来分析硅基 ZnO 纳米棒阵列薄
膜的能级信息,由此得出硅基 ZnO 纳米棒阵列薄膜中被激发光电子的寿命能级较少,为制作
硅基 ZnO 纳米棒器件提供了理论参考。
关键词:ZnO;纳米棒阵列;Kelvin 探针;水浴沉积法;表面光伏;能级
中图分类号:O472+.1
Surface photovoltaic properties of Si-based ZnO nanorod
array films
Xuan Jun, Liu Aimin, Sang Yongchang, Zhang Bingye, Liu Yiting, Liu Guoqiang
(School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology, LiaoNing
DaLian 116024)
Abstract: In this paper, ZnO nanorod arrays were prepared by seed-assisted chemical bath
deposition, in which the ZnO films prepared by magnetr on sputtering were used as the seed layers
on the P-Si (100) substrate. ZnO nanorod array, synthesized by wet chemical bath deposition
method, which was characterized by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction
(XRD) and photoluminescence (PL) spectroscopy. The results show that ZnO nanorods with very
few defects, which is basically along the c-axis growth, have good UV light-emitting
characteristics. Surface photovoltage (SPV) technique was employed to investigate the surface
photovoltage behavior of ZnO nanorod array. The surface photovoltage and its time-resolved
evolution process are used to determine the energy level structure of the ZnO nanorod array. As a
result, the life level of the photoelectron in Si-based ZnO nanorod arrays is very few.
Keywords: ZnO; Nanorod array; Kelvin Probe; chemical bath deposition; surface photovoltage;
energy level
0 引言
近年来,一维结构的纳米 ZnO 由于具有独特的物理性质和光电性能,如:室温下其禁
带宽度达 3.37eV,较高的激子束缚能(室温下达 60meV),高场电子迁移率以及良好的化
学和热稳定性,使其受到人们的极大关注[1]。在一维结构的纳米 ZnO 中,单晶 ZnO 纳米棒
阵列由于其在太阳能电池[2,3],场效应晶体管[4]和紫外激光器[5]等光电器件的应用前景而得到
广泛研究。ZnO/Si 异质结可以产生很强的光伏效应,因而硅基 Zn
文档评论(0)