第8章 光电子器件.pptVIP

第八章 光电子器件 §1 固体中的光吸收和光发射 光吸收过程 光发射过程 §2 半导体发光二极管 发光二极管材料 发光二极管的优点 §3 半导体激光器（light amplification by stimulated emission of radiation，laser） 半导体激光器的原理 半导体激光器的特点 §4 光电探测器（Photoelectric Effect） 基本的光电效应及光电探测器件 光电探测器的基本过程 光电导效应 光伏效应 光电二极管：光电二极管实际上就是一个工作在反向偏置条件下的pn结，p-i-n光电二极管是最常用的光电探测器件。 雪崩光电二极管：雪崩光电二极管是借助强电场作用产生载流子倍增效应(即雪崩倍增效应)的一种高速光电器件。 CCD器件 电荷耦合器件(Charge Coupled Device，简称CCD)：70年代初由美国贝尔实验室研制成功的一种新型半导体器件。 CCD器件不同于其他器件的突出特点：以电荷作为信号，即信息用电荷量(称为电荷包)代表，而其他器件则都是以电压或电流作为信号的。 广泛用于影像传感、数字存储和信息处理等三个领域，其中最重要的应用是作为固态摄像器件，其次是作为存储器件。 §5 太阳能电池（?solar cell ） 吸收光辐射而产生电动势，它是半导体太阳能电池实现光电转换的理论基础。 产生光生伏特效应的两个基本条件： 半导