显微激光拉曼光谱法鉴别SiC 晶体的多型体结构.docVIP

显微激光拉曼光谱法鉴别SiC晶体的多型体结构 韩荣江1, 2(，王继扬1，徐现刚1，胡小波1，董 捷1，李现祥1，李 娟1，姜守振1， 王 丽1，蒋民华1 （1. 山东大学晶体材料国家重点实验室，济南 250100； 2. 青岛科技大学材料与环境工程学院，青岛 266042） 摘 要：利用显微激光拉曼光谱法对掺氮6H-SiC单晶中的寄生多型体进行了鉴别，结果表明其中有4H-SiC和15R-SiC两种寄生多型体。不同SiC多型体的纵光学声子与等离子体激元的耦合模（LOPC模）表明：在掺氮6H-SiC单晶的生长条件下，6H-SiC的掺氮效应与4H-SiC存在明显差别，而与15R-SiC的掺氮效应相似。 关键词：显微激光拉曼光谱法；碳化硅单晶；多型体鉴别；掺氮效应 中图分类号：O657.37 文献标识码：A 文章编号: 1000-985X(2004) Polytype Identification of SiC Crystals by Micro-Raman Spectroscopy HAN Rong-jiang1, 2, WANG Ji-yang1, XU Xian-gang1, HU Xiao-bo1, DONG Jie1, LI Xian-xiang1, LI Juan1, JIANG Shou-zhen1, WANG Li1, JIANG Min-hua1 (1. State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China; 2. College of Materials and Environment Engineering, Qingdao University of Science and Technology, Qingdao 266042, China) ( Received 17 May 2004) Abstract: The parasitic polytypes in nitrogen-doped 6H-SiC single crystal were identified by Micro-Raman spectroscopy. The results show that there are two parasitic polytypes such as 4H-SiC and 15R-SiC in 6H-SiC crystal. The longitudinal optical phonon-plasmon coupled modes (LOPC modes) of different SiC polytypes show that the nitrogen-doped effect of 6H-SiC is markedly different from that of 4H-SiC, and is similar to that of 15R-SiC under the growth condition of nitrogen-doped 6H-SiC single crystal. Key words: Micro-Raman spectroscopy；silicon carbide single crystals；polytype identification；nitrogen-doped effect 1 引言 碳化硅（SiC）是宽带隙半导体材料中的重要一员，其禁带宽度大、临界击穿电场强度高、载流子饱和迁移速度高、热导率高，并具有极好的化学稳定性[1]，以其制造的SiC基微电子器件在高温、高频率、大功率、高电压和强辐射等条件下应用潜力巨大。 SiC材料有多种同质多型体[2]，可分为立方结构（C）、六方结构（H）和菱面体结构（R）。其中3C-SiC（点群(43m，空间群F(43m）、6H-SiC（点群6mm，空间群P63mc）、4H-SiC（点群6mm，空间群P63mc）、15R-SiC（点群3m，空间群R3m）最为常见。不同的SiC多型体具有不同的结构对称性，这取决于硅碳双原子层在一维方向上堆垛次序的不同，图1给出了5种SiC多型体在一维方向上（图1中的箭头方向对3C-SiC来说指[111]方向；对2H-SiC、6H-SiC、4H-SiC和15R-SiC来说指[0001]方向）的硅碳双原子层的排列示意图。除3C-SiC或2H-SiC外，其它任何一种SiC多型体中，并非所有的硅碳双原子层都处于等价的位置上，这种不等价性源于该多型体中硅碳双原子层之间相对位置的差异。以6H-SiC为例说明（见图1），在A位置上的硅碳双原子层与其最近邻的上、下层之间呈六方堆垛