GBT驱动电路的研究.pdfVIP

维普资讯 《电气 开关 》 (2002No．5) 19 文章编号 ：1004--289X(2002)05--0019--03 IGBT驱动 电路的研究 刘星平 ，李炎斌。 (1．湖 南工程 学院 ，湖 南 湘潭 411101；2．深圳华 阳 国际建筑工程设计有限公 司，深圳 518001) 摘 要 ：探讨 了IGBT驱动的有关问题 ，总结 了几种在 实践 中很有应用价值 的驱动 电路 。 关键词 ：绝缘栅双极 晶体 管 ；驱动 电路 ；特性 ；要求 中图分类号 ：TM321 文献标识码 ：A Study on IGBT DrivingCircuit Xing—ping 。LIYan—bin (1．Hunan EngineeringInstitute，Xiangtan411101China；2．ShenzhenHuayangInternational ArchitecturalEngineeringDesignCO．，Ltd．，Shenzhen 518OO1China) Abstract：Theproblem on IGBT driving circuitisdiscussedand summarizesseveralkindsofthe driving circuitswhicharevalualdein practice． Keywords：insulated--gatebipolartransistor；drivingcircuit；property；requirement 源 中的 IGBT通过 ce电平 的变化 ，使其在饱和与截 1 前言 止两种状态交替工作 。 IGBT也称为绝缘栅双极 晶体管 ，是复合 了功率 3 IGBT对驱动电路 的要求 场效应管和电力晶体管 的优 点而产生 的一种新型复合 器件 ，它将功率场效应管和 电力 晶体管 的优 点集于一 根据 IGBT的特性 ，其对驱动 电路 的要求如下 ： 身 ，既具有输入 阻抗高、工作速度快 、热稳定性好和驱 (1)提供适当的正反向电压 ，使 IGBT能可靠地开 动 电路简单 的优 点 ，又具有通态 电压低 、耐压高和承受 通和关断 。当正偏压增大时 IGBT通态压 降和开通损 电流大等优 点 ，因此应用更加广泛 。 耗均下降，但若 ce过大 ，则负载短路时其 c随 ce增 2 IGBT 的工作特性 大而增大 ，对其安全不利 ，使用 中选 GE《15V为好 。 负偏 电压可 防止 由于关断时浪涌 电流过大而使 IGBT IGBT 的等效 电路及符合如 图 1所示 ，IGBT 由栅 误导通 ，一般选 UGE一一5V为宜 。 极正负电压来控制 。当加上正栅极 电压时，管子导通 ； (2)IGBT 的开关时间应综合考虑 。快速开通和关 当加上负栅极 电压时，管子关断 。 断有利于提高工作频率 ，减小开关损耗 。但在大 电感负 载下 ，IGBT 的开频率不宜过大 ，因为高速开断和关断 会产生很高 的尖峰 电压 ，及有可能造成 IGBT 自身或 其他元件击穿。 一