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第15卷第1期 材 料 科 学 与 工 程 总第5 7 期
115 1 . 1997
V o N o M aterials Science Engineering M ar
PECVD 法氮化硅薄膜的研究
吴大维 范湘军 郭怀喜 张志宏 李世宁
武汉大学 武汉 430072
【摘 要】 本文采用射频等离子体增强化学气相生长法( ) , 在单晶硅衬底上生长氮化
PECVD
( ) ( )
硅薄膜, 经X 射线衍射测试发现, 在 100 晶向硅片上生长的氮化硅薄膜为 101 晶向的外延生长
膜。还用红外吸收光谱拉曼光谱和 射线光电子能谱测试了 的特性, 讨论了它在微电子学
X SiN
3 4
中的应用。
【关键词】 , , 外延生长。
SiN PECVD
3 4
The Stud ies of the Silicon N itr ide F ilm s Prepared by
Plasma Enhanced Chem ical Vapour D eposition (PECVD )
, , , ,
W u Dawe i Fan X iangjun Guo Hua ix i Zhang Zh ihong L i Sh in ing
, 430072
W uhan Un iversity W uhan
【 】
Abstract T he silicon nitride film s w ere depo sited by p lasm a enhanced chem ical vapour
depo sition. T he result obtained by X ray diffraction indicated that the nitride silicon grew a
( ) ( )
long 101 o rientation on Si 100 . In addition. T he FT IR. R am an scattering and X ray pho to
electron spectra w ere used to characterize silicon nitride.
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