HEMT结构材料中二维电子气的输运性质研究.pdfVIP

　第 20 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 4　 V o l N o 　1999 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1999　 CH IN E SE JOU RN AL O F SEM ICON DU CTO R S A p r HEM T 结构材料中二维电子气 的输运性质研究 张兴宏　夏冠群　徐元森 ( 中国科学院上海冶金研究所半导体材料与器件研究室　上海　200050) 徐　波　杨玉芬　王占国 ( 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室　北京　100083) 摘要　 本文通过变温的H a ll 测量系统地研究了 GaA s 基 H EM T 和 PH EM T 以及 InP 基 三种结构材料的电子迁移率 和二维电子浓度 . 仔细地分析了不同 结构材 H EM T n H EM T n s 料的散射机制对电子迁移率的影响以及不同H EM T 材料结构对电子浓度的影响. 研究结果 表明 基 的 × 值比 基 和 的 × 值都大, 说明可以用 InP H EM T n GaA s H EM T PH EM T n s n s n × 值来判断 结构材料的性能好坏. n H EM T s n : 7340 PACC L 1　引言 ( ) 由于H EM T 高电子迁移率晶体管 在高频和低噪声以及功率性能方面的优越性, 所以 [ 1 ] 在微波和毫米波方面得到了广泛的应用 . 因此, H EM T 成为当今微电子领域中最前沿的 和最活跃的研究领域之一. 然而, 人们对H EM T 中二维电子气的输运性质认识还不全面, 还有待于进行深入研究. H EM T 的性能主要依赖于所用结构材料的二维电子气性质, 也就是说依赖于外电场作 ( ) 用下 结构材料中二维电子气 2 的输运性质. 而二维电子的输运又受到能带结 H EM T D E G ( ) 构 有效质量和带隙 和各种散射过程的影响, 各种散射机制总的效果反映在电子的迁移率 上. 因此, 迁移率是评价一个H EM T 材料质量好坏的最重要的参数之一.