Pd／a—si：H界面的光电子能谱研究.pdfVIP

维普资讯 第 l0巷 第 l2期 半 导 体 学 报 vo1．1O，嘞 ．12 1989年 12月 CHINESE dOURN AL OF SEM IGONDUCTORS Dcc．． 1989 Pd／a—si：H 界面的光电子能谱研究 赵特秀 枕 波 刘洪图 (中国科技大学物理系，合肥) 季明荣 吴建新 (中国科拄大学结椅分析中心，台肥) 许 振 嘉 (中国科学院半导体研究所 ，北京) l9BB年9月 26日收到 本文利用光电于能谱 (xP5、u )技术研究了 Pd淀积层与离子注入制备的 a-Si：H层 组成的系绕． 本工作分析 了 Pd／a-Si：H 的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯始 级谱的影响，井与 Pd，c一5i系统的结果进行了比较．结果表明： Pd／a-Si：H界面具有与 Pd， C-SI界面相似的电子结构 ；但是 ，Pd原子在 —Si：H 中具有较大的扩散速率 ，因此 ，处于更 富 si的环境中。 主盟词：金属一半导体界面，非晶硅 ，硅化物、UPS、XPS 一 、 引 言 w E Spear等用辉光放电气相淀积技术实现了非晶硅的掺杂调制后 “，非 晶硅的 研 究和应用取得了很大进展；相应地 ，金属一非晶硅界面及非晶硅衬底上金属硅化合物的 研 究也引起了广泛兴趣．光 电子能谱是研究表面、界面 电子结构的重要工具 ，L Leg和 B—Von．Roedern等用光电子能谱对 a—si的电子结构进行了分析0 ，其工作表 明：a—si 舳 无序结构使其 电子结构与 G-Si有所不同．P．S FIo等对 Pd／C—si系统进行了一系 列光 电子能谱研究 ，且从理论上进行 了分析 ，他们的工作表 明：Pd4d 电子和 Si3p 电 子杂化形成共价键，代替了 si中的 矿 杂化，且提出了界面富si相的假设． 本工作主要讨论 Pd／a-Si：H 系统的电子结构．我们认为： a—si和 c—si在原子结 构和 电子结构上的异同，必将反映在它们与金属的相互作用上，因此分析 a-Si：H 与 P吐 舶 界面电子结构是很有意义的． 本工作为中尉科技大学结构分析开放实验室科研基金资助项目 ¨ 现址：南京大学物理系． 维普资讯 赵特秀等：Vd／a一8i：H 界面的光 电子能谱研 究 915 二、 实 验 基片为 n一(1l1)si(P)，电阻率 2—5口 ·cm．硅片经离子注入 Si和H形成 a—si：H， 牲入剂量和能量分别为 ： si。——5×10jc‘m～，l20KV；H——5×l01％m一，10KV． Raman 分析表明 ，蝉品表 面已非 晶化． 这里 ，我们要说 明的是：尽管离子注入是一种较新 的探索和制各非 晶态表面层的技 术 ，但 就非晶硅 的制各而言，广泛采用的且具有实用价值 的方法是辉光放 电法．不过 ，由 于在我们实验室的条件下 ，辉光放 电法制得 的 a—Si：H 群 品台氧量太高 ，因此我们采用了 离子轰击法来制各样品．我们认为：从研究 Pdla-Si：H 界面的 目的而言，离子轰击是一 种可行的手段．与辉光放电法相比较，离子轰击 (注入)的方法制得的非晶硅薄膜有更多 _的缺 陷，纵 向均匀性较差．但就界面的研究而言 ，重要 的是界面附近的状况 ，纵向的不均 匀性并不重要． 单晶及非晶蝉品分别经常规化学清洗后送入真空室 ，用 Ar 离子溅射进行表面清