高能质子引起器件单粒子效应的研究方法’.pdfVIP

第 19卷 第 4期 原 子 核 物 理 评 论 V01．19，No．4 2002年 12月 NuclearPhysicsReview Dec．，2002 文章编号 ：1007--4627(2002)04--0411--05 高能质子引起器件单粒子效应的研究方法 ’ 刘 杰 ，侯明东 ，张庆祥 ，甑红楼 ，孙友梅 ，刘 昌龙 ，王志光 ，朱智勇，金运范 (中国科学院近代物理研究所，甘肃 兰州 730000) 摘 要：简略介绍 了高能质子在半导体芯片中引起单粒子效应的实验测量和理论分析方法，包括核 反应分析方法、半经验方法，介绍了质子和重离子翻转截面间的关系，并用重离子实验数据预测器 件在质子环境下的翻转率． 关 键 词 ：单粒子效应 ；质子；半导体器件 中图分类号 ：P354．2 文献标识码 ：A l 引言 芯片 出现 SEE的主要机制是 ，当宇宙射线 中的重 离子穿过一个存储单元 时在耗尽 区或附近沉积能 在空间宇宙射线环境 中，质子是最多的粒子 ， 量，产生足够数量的电子一空穴对 ，在 电场作用下， 其次是原子序数小于 26的各种重离子 ，质子和重 当聚集在 节 点 的 电荷 超过 临界 值 时，器件 发 生 离子都能使卫星上 的电子学器件和线路 出现单粒子 SEU；而高能质子是通过核 的非弹性相互作用 ，即 效应．在一次太 阳耀斑事件 中，质子 的强度要 比来 核反应产生的二次粒子沿路径沉积足够的电荷改变 自银河宇宙射线的重离子高几个数量级．特别是对 临近存储单元 的状态 ，出现 SEU，翻转截面依赖于 于要穿过南大西洋磁异常区的卫星，质子的单粒子 入射质子 的能量．所 以重离子和质子 引起 SEU 都 效应尤为显著 ，是威胁卫星安全的重要因素．英 国 是 由于重离子电离产生 的电荷被收集而造成 的，两 萨里大学研制 的 UoSAT-2卫 星 (700km，98。)于 1984-- 1989年测量数据表 明当卫 星运行于南大西 者 的基本过程相似．在 4 m 的硅器件 中每 1O个质 洋磁异常区域时，芯片 出现翻转 的次数最多[I]，推 子 中大约有一个质子发生核反应 ，这个值似乎很 测是 由于质子 引起 的单粒子翻转 (SEU)所致 ，并发 小 ，但在近地空间捕获带 中质子流强很大 ，产生 的 现太 阳耀斑质子事件能使翻转率显著增加．我 国第 翻转远超过相 同环境下宇宙射线重离子产生 的翻 一 颗太 阳同步轨道卫星 “风云一号”在轨工作时多次 转 ．研究质子引起 SEE的方法包括实验测量和理 出现姿态不正常，与太阳质子事件和高纬度地区及 论计算 口]． 南大西洋磁异常区的质子有关．空间质子流强和能 量依赖于轨道和倾角 ，Stassinopoulos等[。用 AP一8 2 实验测量 程序计算了低地球轨道、太阳活动谷年 ，以及不同 地面模拟研究质子 引起 SEE的方法是用加速 屏蔽条件下质子流强随能量 的分布 ，质子能量范 围 器加速的不 同能量质子 (几 MeV一几百 MeV)照射 从几 MeV到 500MeV，可见仅用屏蔽层无法有效