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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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! 离子注入#$% 中缺陷形成的慢正电子束研究!
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陈志权 河裾厚男
!）（武汉大学物理系，武汉 #$%% ）
）（日本原子力研究所，日本群马 $%’!( ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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在 单晶样品中注入了能量为 — 、总剂量为 !2 5 的 离子 利用基于慢正电子束的多
*+, % !%% -./ # 0# 1 !% 34 6. 7
普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷 结果表明， 离子注入 产生了双空位或更大的空位团 在 以
7 6. *+, 7 #%% 8
下退火后， 开始填充到这些空位团里面，造成空位团的有效体积减少 经过 以上升温退火后，这些空位团
6. 7 #%% 8
的尺寸开始增大，但由于有少量的 仍然占据在空位团内，因此直到 这些空位团仍保持稳定 高于 退
6. 9%% 8 7 9%% 8
火后，由于6. 的脱附，留下的空位团很快回复，在!%%% 8 下得到完全消除7
关键词：慢正电子束， ，离子注入，缺陷
*+,
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’(( 9%: )!%: )!%;
固溶度的影响，因此有望借助这一方法实现*+, 中
的 型掺杂 但是离子注入不可避免地会产生大量
!0 引 言 7
的缺陷，这些缺陷除了影响材料的导电性能（如补偿
［］
!
随着在 !((9 年==- 等 成功制备高质量的大 载流子），还会严重影响*+, 的发光性能，如作为非
块*+, 单晶，近几年来这一材料已引起了人们的广 辐射复合中心和深能级发光中心，抑制*+, 的紫外
［— ］
泛关注 # 作为第三代半导体， 具有很多优 发光7 缺陷还有可能与注入的杂质发生作用，影响其
7
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