低介电常数氟化非晶碳薄膜热稳定性的研究.pdfVIP

第 2 期 微细加工技术 №2 2005 年 6 月 MICROFABRICA TION TECHNOLO GY J un ,2005 ( ) 文章编号 2005 低介电常数氟化非晶碳薄膜热稳定性的研究 刘雄飞 ,张云芳 , 肖剑荣,李幼真 ( 中南大学 物理科学与技术学院 ,长沙 410083) 摘要 : 以CF4 和 CH4 的混合气体为源气体 , 以Ar 为工作气体 ,用射频等离子体增强化 ( ) ( ) 学气相沉积法 rfPECVD 制备了氟化非晶碳 aC ∶F 薄膜 ,并在 Ar 气氛中对不同温 度下沉积的薄膜进行了退火处理 , 以考察其热稳定性。用椭偏仪测量了薄膜的厚 ( ) 度 ,比较了退火前后膜厚的变化;用傅里叶变换红外光谱仪 FTIR 对薄膜进行了分 析 ,发现当退火温度达到 350 ℃时 ,位于 2 900 cm - 1 附近的三个吸收峰几乎全部消 失 ,随着射频功率的增加 ,980 cm - 1 ～1 350 cm- 1 范围内的 CF x ( x = 1 ,2 ,3) 峰向低频 ( ) 方向移动 ;用原子力显微镜 AFM 观察了不同沉积温度下和经不同退火温度处理后 薄膜表面形貌的变化 ,发现随沉积温度的升高 ,薄膜表面变得均匀 ,退火后的薄膜表 面比没有退火的薄膜表面平坦。 关 　键 　词 :rfPECVD ; aC ∶F 薄膜 ; 热稳定性 中图分类号: TN304055 　　　文献标识码 :A ( ) 1 　引言 乙烯和氟化非晶碳薄膜 aC ∶F 等。关于低 介电常数 aC ∶F 薄膜的研究始于 20 世纪 90 高速 、高密度、多功能大规模集成电路要 年代[3 ] ,随后由于其优良的电学、光学和机械 求较小的器件特征尺寸和较大的芯片面积 , 性能 ,受到越来越多人的关注。但是相对较 这就需要增加布线密度 , 即增加金属线的层 差的热稳定性阻止了其进一步走向实用化 , 数 , 以降低金属线的宽度和距离[1 ] 。然而这 比如在 300 ℃～350 ℃退火后 ,薄膜的介电 种变化必将增大金属布线的电阻和互联寄生 常数增加 ,膜厚减小[4 ] 。专家一致认为 ,aC ∶ 电容,出现信号传输延时、噪声干扰和功率耗 F 薄膜的热稳定性强烈依赖于膜中碳网络结 散等现象。为了解决上述问题 ,工艺界提出 构 ,交联数量越多 ,热稳定性越好[5 ] 。人们通 用低电阻率金属代替目前常用的铝布线 ,用 过增加射频功率[3 ] 、提高沉积温度[6 - 8 ] 、在 ( ) 高温下做退火处理[6 ] 、增强薄膜沉积时离子 低介电常数介质 k 2 5 代替传统的 SiO2 ( ) 轰击的程度、调整源气体中 F/ C 比[5 ,9 ] 等方 介质 k = 3 9 ～4 6 。对于低电阻率