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桃園創新學報第三十二期
應用邊元素法模擬化學機械研磨之晶圓應力分佈對表面不均勻度的影響
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應用邊界元素法模擬化學機械研磨之晶圓應力分
佈對表面不均勻度的影響
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郭俊廷 黃彥志 邱傳聖
1.元智大學機械工程學系
摘 要
在半導體製程中，化學機械研磨 (Chemical Mechanical Polishing,簡稱 CMP)
對於提高晶圓表面的平坦度是一項很重要的程序。為了有效的控制材料移除
率，本論文將使用其可減少電腦記憶體的資源運用且在短時間內求解軸對稱問
題的邊界元素法，來建立化學機械研磨之二維軸對稱準靜態模型。利用邊界元
素法分析晶圓與研磨墊之間的應力分佈與表面不均勻度的關係。
關鍵字：化學機械研磨、 von Mises 應力、邊界元素法
E-mail ：
s995028@mail.yzu.edu.tw Tel ：+886-3-4638800轉 2466轉 3311
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桃園創新學報第三十二期
應用邊元素法模擬化學機械研磨之晶圓應力分佈對表面不均勻度的影響
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The Application of boundary element method
to simulate the stress distribution and
nonuniformity on wafer surface of chemical
mechanical polishing process
1 1 1
Jyun-Ting Guo Yen-Chih Huang Chuan-Sheng Chiou
1.Institute of Mechanical Engineering, Yuan Ze University.
Abstract
Chemical mechanical polishing (CMP) is important in improving planarization
and materials remove ratio of wafer in semiconductor manufacturing. We used a
method, boundary element method (BEM), can reduce computer memory and
computing time to simulate the CMP process. This study will build a 2-D
axisymmetric quasi-static model for chemical mechanical polishing process.
Analysis the stress distribution and nonuniformity on the wafer-pad interface was
solved by BEM.
Keywords: chemical mechanical polishing , von Mises stress, boundary element
method
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