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( ) 增刊
文章编号 :1001 - 9731 2000 - 0101 - 02
用 KrF 准分子脉冲激光在低基板温度下制备AlN 薄膜的研究
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赵 强 ,范正修 ,WAN G Mingli ,Kyung - Ku YOON ,J ae - Gu KIM ,
2 2
Seong - Kuk LEE ,Kyung - Hyun WHAN G
( 1. 中国科学院上海光学精密机械研究所 ,上海 201800 ;2 . Korea Institute of Machinery Materials ,Taejon ,305 - 343 ,Korea)
( ) - 4
摘 要 : 用 KrF 准分子脉冲激光在 200 ℃的 Si 111 基板上通 装入样品后 ,沉积室由分子泵抽至 8 ×10 Pa 后充入氮气
过改变制备条件 ,采用沉积后直接保温处理的方式制备出了具 到预定的沉积气压 ,入射激光束的能量被调整在每个脉冲为
有不同择优取向的 AlN 薄膜 ,并得出了较高的处理温度和过长 300～700mJ , 光斑大小约为 0. 2mm ×2mm 。所使用的靶是
的时间不利于AlN 相的形成的结论。 50mm ×3mm 的 AlN 陶瓷材料 , 并在沉积时按一定的速率转
关键词 : KrF 准分子脉冲激光 ;激光沉积 ;AlN 薄膜 动。薄膜被沉积在平行于靶面的 Si ( 111) 基板上 ,基板与靶面的
中图分类号: TQ174. 758. 12 间距为4cm ,并被加热至预定的温度 ,沉积的总脉冲数为 18000
次 。沉积完备后 ,薄膜被置于氮气中做热处理。
1 引 言
(
薄膜厚度用激光表面轮廓仪 Rodenstock Laser Stylus RM
) ( )
脉冲激光沉积技术己经在高质量薄膜制备中成为一种被广 600 测量 ,晶格结构用 X - ray 衍射仪 日本理学 来测量。
泛应用和研究的的手段[ 1 ,2 ] ,可以对较高熔点的单质或化合物
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