两性杂质锗在LPEGaAs中分凝系数和占位比的计算.pdfVIP

维普资讯 嬉 Io卷 1u朗 半 导 体 学 报 Vo1．10 Nt3 l0 19B9年 lu月 CH INESB JOURNAL OF 、EM ICONDUCTORS 1989 两性杂质锗在 LPEGaAs中分凝 系数和 占位比的计算 杨 辉 粱 筏 吾 (中国科学巯半导体研究所，北京) t98B军 8月 9 日收到 将兰元相 圈理论推广到 耳卜V 族化台物及两性 IV 族元素杂质组成的赝四元体系，挂导 了 iv族元素 Gc在 GaAs液相外延时的分凝系数的温度关系以驶 占位比与温霞的关蕞，理 论计算与实验相符台． 井用拟台的方法确定了 G…Ge^s固相体系中的相互作用参数是温 窿的=次函数． 主题词：液相外延，分凝系数 ，相 图，砷化镓 一 、 引 言 ． 由于相图强论盔晶体生长等方面的重要作用而受到 广泛重视；许多作者研究7二 元，三元甚至四元相 图理论 ，并成功地用于计算化合物半导体生长蔹其掺杂情魄 ，如III~V 族化台物 GaAs及掺入各种uVI旗杂质的情况已有不少报道 但由于lV族元素在 Iu— V族化台物 中的复杂性 ，例如 IV 族元素在 III-V 族化合物 中既可以 占 IIl族元毒的位 置又可以占V族元素的位置，娃两种杂质的作用，即可成为施烹又l可成为受主，而且两种 占位情况的 lV 族元素还可以相互转变，因此这是一个赝四元系统，但叉 比普通 的四元系 统复杂．因此有关这种情况的擐遭比较少．Hurle’曾计算了在液槽外建 GaAs时杂质 Ge的 凝系数与生长温度的关系． 他是根据固相与藏相达到平衡，用质量作用定律稚 电中批条件导出 IV 族杂质 Ge在 GaAs中的分凝系数与外延生 盟度的苯蕃，并根据 Neumannt~报道的占位 比与生长温度无关且恒等于 0．18的实验结果，确定了待定参数． HuHe的计算姑 果与 Ncumann的实验缮果相一致．但现在有新的实验证据表 明占位 比 是与生长温度有关的 ，而且否定 了 Neumann的分凝系数与生长温度关系的实验 ．因此 有必|唼重新考虑Ge在 GaAs中的占位情况和分凝系数与生长温度的变化关系． 二、Ge在 GaAs液相外延生长时的分凝 在 LPEGaAs中，如果主要掺杂剂是 Ge， 掺杂荆进入外延层的反应可用下式代 表 Ge+ G4】 GaGe* (1＆) 维普资讯 半 导 体 学 报 GeI+ As1 GeAss (1b) Ga+As1 GaAs。 (It) 中 (1a)式代表 Ge由液相分凝进入固相井 占 As位 的反应 ，(1b)式代表 Ge由液 相分凝进入固相并 占 Ga位的反应，而 (1c)式是 Ga和 As形成 GaAs的反应． 这 黾将 固相看作是 GaAs—GaGe—GeAs的三元溶液 ，GaGe表示 Ge 占 位 Ga 占 Ga 位 ，GeAs表示 Ge 占 Ga位 As占 As位．由质量作用定律可得 K()一 r G。【GaGe’】／rL[Oa。】r‰[Ge1 (2a) K2()一 r ^。[GeAs]