煅烧铟锡氢氧化物和氯化钠混合粉末制备铟锡氧化物纳米粉体的研究.docVIP

煅烧铟锡氢氧化物和氯化钠混合粉末制备铟锡氧化物纳米粉体的研究.doc

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 煅烧铟锡氢氧化物和氯化钠混合粉末制备 铟锡氧化物纳米粉体的研究 苏兴华,孟雷超,王本盼,赵鹏,艾涛,阎鑫 (长安大学材料科学与工程学院,西安 710061) 摘要:铟锡氧化物(ITO)是一种重要的半导体材料,制备团聚轻、颗粒细小的 ITO 纳米粉体具有重要的 意义。在 500下煅烧铟锡氢氧化物[Sn:In(OH)3]和 NaCl 的混合粉末 2 h, 然后冷却并经过水洗制备 ITO 纳 米粉体。XRD 和 TEM 研究结果表明,利用 NaCl 颗粒能有效阻止纳米粉体硬团聚的形成。ITO 纳米粉体结 晶良好,平均颗粒尺寸为 18 nm, 尺寸分布窄、团聚轻。本工艺为合成无机纳米粉体提供了一种新的方法。 关键词:铟锡氧化物;纳米粉体;煅烧;氢氧化铟;氯化钠 中图分类号:TB34 文献标志码:A Preparation of nanocrystalline indium tin oxide powder by calcining the mixture of indium tin hydroxide and sodium chloride Su Xinghua, Meng Leichao, Wang Benpan, Zhao Peng, Ai Tao, Yan Xin (School of Materials Science and Engineering, Chang’an University, Xi’an 710061, China) Abstract: Indium tin oxide (ITO) is a very important semiconductor material. It is of great importance to prepare weakly agglomerated and fine nanocrystalline ITO powder. Well-crystallized nanocrystalline ITO powder has been prepared by calcining a powder mixture of indium tin hydroxide [Sn:In(OH)3] and NaCl for 2 h at 500℃, and then washing with water. The X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscope (TEM) study showed that NaCl particles can efficiently inhibit the hard agglomeration of the ITO nanoparticles. The obtained nanocrystalline ITO powder with an average particle size of 18 nm displays a high crystallinity, a narrow size distribution, and weak agglomeration. This technique provides a new method for the synthesis of inorganic nanocrystalline powder. Key words: indium tin oxide (ITO); nanocrystalline powder; calcination; In(OH)3; NaCl 铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)是一类重掺杂、高简并的半导体材料(Eg=3.5 eV)。 ITO 透明导电薄膜具有优异的光电等特性,如对可见光高透明、红外光反射率大、对微波有 强烈衰减性、电阻率低和可刻蚀等特点,被广泛地应用于太阳能电池、平板显示器(LCD)、薄 膜晶体管(TFT)、防静电涂层等诸多领域 [1-4] 。目前 ITO 薄膜主要是通过溅射 ITO 靶材而获得, 其所用的 ITO 靶材是由 ITO 纳米颗粒真空压制而成。要获得高质量的 ITO 靶材,关键是要制 备出分散性良好、粒径小且颗粒尺寸分布窄的 ITO 粉体。 [5-7] [8-9] [10-11] 共沉淀法主要采用尿素为沉淀剂以实现氢氧化铟和氢氧化锡的均匀沉淀。该法工艺条件和设 备都比较简单,但会造成一定程度的硬团聚,不利于获得高致密的靶材。溶胶-凝胶法所制 备的 ITO 粉体团聚轻、颗粒尺寸小,但是该法对工艺控制要求十分严格,且所用的原料价格 较昂贵,不利于工业化规模生产。水热法利用高温高压环境,可以制备出结晶度高、分散性 良好的 ITO 前驱体,然后再经过

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