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22 1
*
∗
1 1 2 1 1 1 1 1
1. 250 1002. 250014
o (FTIR)GaN
950 Cβ-Ga O
2 3
NH3 35minGaNXRDXPS
FTIRTEMGaN
2
a=0.3191nm
c=0.5192nm GaN 1
6g 99.999%β-Ga O
2 3
1GaN
850~950 β-Ga O
2 3
Ga O GaN
2 3 300mL/min NH3 35min
TN304.2+3 A N2
1001-022 1-03 β-Ga O NH
2 3 3
1 600 NH3NH
NH3 Heon
GaN3.39eV
Lee[14]
-
[1~4] Ga O O2-N3-GaN
2 3
GaNGaN
GaN
GaN
Ga O (s) + NH (g) → GaN (s) + H O (g)
GaN 2 3 3 2
GaN (nuclei) → GaN (particle)
9 -2
≥10 cm Rigaku D/Max-γA X MICROLAK
GaN MK II X GaN
GaN[5] Hitachi-800
[6]GaN
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