聚吡咯的化学氧化合成与导电性能研究.pdfVIP

聚吡咯的化学氧化合成与导电性能研究 1 1，2 1 安颢瑗 ，王立新 ，任丽 （1. 河北工业大学高分子材料科学与工程研究所，天津 300130； 2. 中国环境管理干部学院，秦皇岛 066004） 关键词: 化学氧化聚合 聚吡咯 磺酸系掺杂剂 导电性能 [1] 早在1916 年，有吡咯黑之称的聚吡咯粉末就已合成出来 。但直到1979 年，A. F. Diaz 等在乙腈电解液中制备出电导率高达 100S/cm 的稳定聚吡咯膜，导电聚吡咯才受 到广泛关注。聚吡咯是一种典型的导电高分子，具有较好的空气稳定性，较高的导电性、 环境无毒性和可逆的氧化还原特性，在微电子、光学、电化学、生物技术等领域有着诱 [2] 人的应用前景，因而受到格外重视 。 20 世纪80 年代初，国内外主要采用电化学法合成聚吡咯薄膜，此法反应设备复杂， 生产成本较高，产量低，无法制备大面积、均匀的薄膜，且存在所制备薄膜难与电极剥 离的问题。与电化学法相比用化学氧化法合成聚吡咯粉末，制备工艺简单易操作，成本 较低，条件易于控制，适于大批量生产。 1 实验部分 1.1 聚吡咯的制备 将一定量氧化剂FeCl ·6H O 及掺杂剂加入100ml 蒸馏水中，氮气保护下搅拌15min， 3 2 用针管注入1ml 吡咯，体系逐渐变黑，搅拌聚合数小时。反应结束后，将产物离心分离， 所得沉淀用去离子水洗涤，然后经超声分散直至洗涤至中性，最后用乙醇洗至无色。所 得沉淀在50℃下真空干燥24h，经研磨得到聚吡咯黑色粉末。 1.2 表征与测试 1.2.1 红外光谱分析（FT-IR）：仪器为德国BRUKER 公司的VECTOR-22 型红外分光光度 计。制样采用KBr 压片法，取适量待测物粉末与KBr 晶体在玛瑙研钵中混合并研磨成极 -1 -1 细的粉末，然后放入模具，用压片机冷压成薄片即可测试。扫描范围：4000cm —400cm 。 1.2.2 电导率测定：仪器为广州半导体材料研究所生产的SDY-4 四探针测试仪，试样在 30MPa 压力下冷压成型(厚度1mm)。 1.2.3 热失重分析（TGA）：美国TA－Instruments 公司的 TA2000 热分析系统SDT2960, 空气气氛，取少量样品置于样品池后升温 （10℃/min）至800℃记录样品的重量随温度 的变化曲线。 1.2.4 离子色谱（IC）：美国戴安公司DX-120 型离子色谱仪，运用氧瓶燃烧法测Cl 元 －3 素。分离柱采用（Ion Pac AS144-mm）阴离子交换柱，淋洗液为3.5×10 mol/l NaHCO3 －3 和1×10 mol/l NaCO 的混合液。 3 1.2.5 电感耦合等离子体发射光谱（ICP）：美国Thermo Jarrell-Ash 公司ICP-9000(N+M) 型电感耦合等离子体发射光谱仪，运用电感耦合等离子体光量计测试S 元素。 1 1.2.6 产物振实密度的测定:在量筒内加入一定量(质量为 m)的固体试样,用拇指堵住 量筒口垂直振量筒直至筒内试样体积不再减小为止,记下试样体积V。 利用下式可计算固体试样的密度(单位：g/ml)：ρ=m/V 2 结果与讨论 2.1 反应温度对PPy 电导率的影响 Table1 Influence of the temperature on the conductivity of PPy 电导率/(s/cm) 振实密度（g/m