一种模拟掺杂涨落对亚100nmMOSFET器件阈值电压波动影响的新方法.docVIP

一种模拟掺杂涨落对亚100nm MOSFET器件 阈值电压波动影响的新方法 A New Method to Simulate Random Dopant Induced Threshold Voltage Fluctuations in Sub-100nm MOSFET 信息科学技术学院 微电子系 殷俊 摘要 本文提出了一种基于ISE（Integrated Systems Engineering）8.0模拟掺杂涨落对亚100nm MOSFET阈值电压涨落影响的新方法。与以往的方法相比，本方法第一次实现了对沿垂直于沟道表面方向杂质非均匀分布的MOSFET器件阈值电压涨落的模拟，而且不仅考虑了离子数目的涨落，还考虑了离子在沟道中位置的涨落。所得到的结果也更接近于实际情况。准确性与速度有了很大的提高。 我们使用此方法模拟了亚100nm MOSFET器件的阈值电压的平均值VT和均方差VT随栅氧厚度tox、沟道长度Leff和沟道宽度Weff的变化情况，并与其他方法的模拟结果进行了比较。 关键词：掺杂，涨落，MOSFET，非均匀，阈值电压，数值计算 Abstract A new method that studies random doping induced threshold voltage fluctuations in sub-100nm MOSFET by using ISE( Integrated Systems Engineering) 8.0 is presented.Compared with methods used before,this method realizes simulation of the threshold voltage of MOSFET that has a non-uniformed doping profile in the channel for the first time.In this method,not only the fluctuation in the dopant number,but in the dopant position is considered.Besides,this method has a great improvement in the accuracy and speed. This method was used to simulate the mean threshold voltage VT and standard deviation VT of sub-100nm MOSFET.The relationship between VT、VT and tox、Leff、Weff was also presented.In the end,the results were compared with the results of other methods. Index Terms:dopant,fluctuation,MOSFET,non-uniform,threshold voltage，numerical computation I．引言 MOSFET的阈值电压是控制MOSFET性能的最重要的参数之一，阈值电压的波动会引起MOSFET一系列电学特性的波动，从而给电路设计带来许多问题。从现有的报道来看，同一个芯片内阈值电压的涨落主要由两部分引起，掺杂和栅氧厚度,而栅氧厚度的影响只在其厚度特别小时，特别是到了1nm以下，由于栅氧只有几个原子层的厚度，造成各个位置厚度的不均匀，才会比较显著地体现出来[1]；而掺杂的影响在大尺寸时就有所体现，且随着器件尺寸的缩小影响越来越大。 阈值电压的涨落已经成为MOSFET等比例缩小所面临的一个关键性问题。在数字电路中，由于Vdd的降低，使得阈值电压的涨落VT对电路的性能的影响已经不可忽视；在许多精确的模拟和数模转换电路中，如D/A转换电路[3]、存储阵列的读出放大器电路[4]等，阈值电压的涨落也是制约电路设计的重要因素[2]。因此掺杂涨落问题目前是国际上研究的一个热点。在这种背景下本论文对掺杂涨落的问题进行了深入的研究，具有较高的学术意义和实用价值。 在现代集成电路制造工艺中，一般通过离子注入改变掺杂浓度来调整MOSFET的阈值电压，使其满足设计要求。但由于在