ZnOIn2O3纳米异质结的合成及其光催化性能的研究.pdfVIP

第 29 卷 第 3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 29 No. 3 2014 年 3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2014 文章编号: 1000-324X201403-0264-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2014.13285 ZnO/In O 纳米异质结的合成及其光催化性能的研究 2 3 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 何 霞 , 刘海瑞 , 董海亮 , 梁 建 , 张 华 , 许并社 太原理工大学 1. 新材料界面科学与工程教育部重点实验室; 2. 材料科学与工程学院, 太原 030024 摘 要: 通 过 热 水解法成 功制 备出了形 貌均 一的 ZnO/In O 异质 结光催 化材料, 采用 场发射扫 描电 子显微镜 2 3 FESEM 、X 射 线衍射 仪XRD 以及透 射电 子显微 镜TEM 对样 品的形貌 及结构 进行表 征。 结 果表明: ZnO/In O 异 2 3 质 结是由 直径约 200~300 nm 、 厚度 约 40~60 nm 的 六 边 形纳米 片镶嵌 着 In O 纳米 小颗粒组 成。 对比 纯 ZnO 、 纯 In O 2 3 2 3 和 该光催 化材料 对罗丹 明 BRhB的可 见光降 解效率, 发现 ZnO/In O 异 质结光 催化材 料对 RhB 具有 较高的 光催化 2 3 效率, 其 原因是 窄带系 半导体 In O 能 够有效 地吸收 可见光, 当 ZnO 与 In O 形 成异质结 时, In O 能带 上被可 见光 2 3 2 3 2 3 激 发的电 子会迁 移到 ZnO 的导 带上, 而光激 发的空 穴仍保 留在 In O 价带, 这样 有助于 光生电 子和空 穴 的 分 离, 降 2 3 低其复合几率, 从而有效地提高了 ZnO 的光催化效率。 关 键 词: ZnO; ZnO/In O ; 罗丹明 B; 光催化效率2 3 中图分类号: O643文献标识码: A Synthesis and Photocatalytic Properties of ZnO/In O Heteronanostructures 2 3 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 HE Xia , LIU Hai-Rui , DONG Hai-Liang , LIANG Jian , ZHANG Hua , XU Bing-She Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials, Taiyuan University of Technology, Ministry of Education, Taiyuan 030024, China; 2. Shanxi Research Center of Advanced Materials Science and Technology, Taiyuan 030024, China Abstract: Homogeneous ZnO/In O heteronanostructure photocatalytic materials were successfully synthesized by 2 3 a pyrohydrolytic method. The structures and morphologies of ZnO/In O heterostructure were investigated by field 2 3 emission scanning electron microscope SEM, transmission electron microscope TEM and X-ray diffraction XRD. Results indicate that ZnO/In O heterostructures consist of hexagon nanosheet ZnO with diameter of about 2 3 200 ?300 nm and thickness of 40 ?60 nm decorated with In O nanoparticles. Compared with the degradation effi- 2 3 ciency of RhB by pure ZnO, pure In O and ZnO/In O , the results show that ZnO/In O heterostructure photocata- 2 3 2 3 2 3