CVD制备SiOx纳米线的各个生长阶段的直接实验证据.pdfVIP

钭 孝 担 2009年 第54卷 第19期：2988—2992 《中国科学》杂志社 WWW．scichina．com csb．scichina．corn 、 SCIENCElNCHINAPRESS CVD制备 SiO纳米线的各个生长阶段的直接实验证据 昊燕①②，黄胜利①，朱贤方①⑧④ ，李论雄①，王 占国③，王连洲①④ ① 厦门大学中国．澳大利亚功能纳米材料联合实验室，厦门大学物理系，厦门 361005； ②集美大学理学院物理系，厦门361021； ③ 中国科学院半导体材料科学重点实验室，中国科学院半导体研究所，北京 100083； ④ ARCCentreofExcellenceforFunctionalNanomaterials，UniversityofQueensland，StLucia，Brisbane，Qld4072，Australia； ⑤ 中国科学院固体物理研究所，合肥 230031 联系人，E．mail：zhux@xmu．edu．cn 2009．04．13收稿，2009．05—24接受 周家科技计划国际科技合作与交流专项(编号：2008DFA51230)、国家重点基础研究发展计划(编号：2007CB936603)、闰家 自然科学基金(批 准号90401022)、中澳科技合作特别基金(编号~11教育部科技重点项 目(编号：105099)资助 摘要 在纳米线的制备中，气一液～固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可，但该机制的很 关键词 多细节还停 留在模型阶段．依托实验室 自行设计的一台生长条件高度可控的高温化学气相 si纳米线 沉积(CVD)系统，采用较为简便的方法，直接在 Si片衬底上制备出了SiO纳米线．通过严 VLS生长机制 格控制实验参数，用离位观测捕捉到了纳米线的催化、形核和长大的一系列过程及其相关 化学气相讥 细节，并发现纳米线从细到粗的气 液．固(VLS)生长机制．讨论 了气．液．固(VLS)机制 中气 态 si原子的来源 以及纳米线的催化 、形核和长大过程中的纳米 曲率效应和 “纳米熟化”现 象，取得 了对 Si0纳米线VLS催化生长机制的理解的突破． 氧化硅纳米线 由于具有较好的发光性能[t,21及在 1 实验 纳米器件等领域 中的潜在应用[3-5]而得到人们的关注． 1．1 实验装置 日前，人们已经能够利用激光离削、热蒸发 、溶胶 一 凝胶 、化学气相沉积等方法制备出SiO 纳米线l2I6”． 在 SiO纳米线的制备过程中，用到的主要仪器是 然而在这些 SiO纳米线制备的相关文献报道中，很少 我们实验室 自行研制的CS．25激光诱导高温化学气相 有人捕捉到SiO 纳米线的生长过程，包括催化、形核 、 沉积装置，该装置的示意图如图 1所示，主体部分为加 粗化 、生长等细节，而这些生长过程细节的研究对 热炉体和石英管反应腔．我们研制的炉体的尺寸为 si 纳米线的可控制备有着至关重要的作用和意义． 219×440mm，内径仅为35mm，石英管反应腔的尺 在总结前人制备 SiO 纳米线 的经验的基础上， 寸仅为 ~32x545mm，这 比其他文献中报道的尺寸小 我们通过设计温度、压强、气流等参数均高度可控的 很多．这种小尺寸的加热炉体具有热惯性小的性质， CS一25激光诱导高温化学气相沉积装置，采用简单的 所以炉体的升温速率和降温速率都很快，同时小尺寸 方法在 950％的较低温度下制备出了SiO纳米线．通 的石英管反应腔内部的温区相对均匀，而且有助于我 过精确控制 SiO 纳米线的生长条件和生长时间，我 们在实验时精确地控制压强和气流．这些都为我们成 们成功捕捉到了 SiO 纳米线的催化 、形核 、粗化 、 功捕捉纳米线的生长过程提供了基础． 生长 的整个过程 ，取得 了对 SiO 纳米线气一液一固 1．2 实验方法 (VLS)生长机制的更细致更透彻的理解，为今后纳米 在 n型的(111)Si片上用磁控溅射的方法溅射一 线的可控生长和