溅射压强和退火气氛对Mg0.2Zn0.8O：Al紫外透明导电薄膜结构与性能的影响.pdfVIP

第 40卷 第 6期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．40 No．6 2011年 l2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS December．20l1 溅射压强和退火气氛对 Mgo．2Zn0．8o：AI紫外透明 导电薄膜结构与性能的影响 王 华 ，燕 红2，许积文 ，江民红 ，杨 玲 (1．桂林电子科技大学信息材料广西重点实验室，桂林 541004；2．郑州铁路职业技术学院公共教学部，郑州 450052) 摘要：以自制Mgo．zn0。0： 陶瓷为靶材，采用室温溅射后续退火磁控溅射工艺制备了Mgo．Zn 0：A1紫外透明导 电薄膜。研究了溅射压强和退火气氛对MgoZno．。O：A1薄膜结构和光电性能的影响。结果表明：溅射氩气压强不 影响薄膜的相结构，但对薄膜的取向生长和结晶质量有一定影响；薄膜的方块电阻随溅射压强的增加先大幅减小 后有所增大，溅射气压为2．0Pa时，薄膜的方块电阻最低；不同溅射气压下制备薄膜的透光范围均已扩展到了紫外 区域，而且具有85％以上的高透射率，但溅射气压对薄膜的带隙宽度和透光率没有明显影响；室温下溅射制备的薄 膜经真空退火处理后其导电性能显著提高，但在空气中退火处理后其导电性能反而有所下降。 关键词 ：Mgo：zIl0。O：A1；紫外透明导电薄膜；磁控溅射；溅射压强；退火气氛；光电性能 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2011)06-1526-05 EffectsofSputteringPressureandAnnealingAtmosphereonM icrostructure andPropertiesofM go Zno o：AIUV—transparentConductingThinFlims ． 2 ． 8 WANGHua ，YANHong ，XUJi．wen ，JIANGMin—hong ，YANGLing (1．GuangxiKeyLaboratoryofInformationMaterials，GuilinUniversityofElectronicTechnology，Guilin541004，China； 2．PublicEducationDepartment，ZhengzhouRailwayVocational＆TechnicalCollege，Zhengzhou450052，China) (Received21．，嘶 2011，accepted21August2011) Abstract：Mgo Zn0 0：A1UV—transparentconducting filmswereprepraed bymagnetron sputteringat ． 2 ． 8 room temperature with postannealing treatment．The effects ofsputtering pressure and annealing atmosphereonmicrostructureandphotoelectricpropertiesofMg0Zn0 O：A1filmswereinvestigated．The ． 2 ． 8 sputteringpressureexert someinfluenceonthecrystalliteorientationna dqualityofM