提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究.pdfVIP

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2017-09-13 发布于河北
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提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究.pdf

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第40卷第6期人工晶体学报 Vo1．40 No．6 2011年 12月 JOURNAL 0F SYNTHEnC CRYSTALS December．2Ol1 提拉法制备铜单晶基片的化学机械抛光研究娄有信，王继扬，张怀金，李强2，严清峰，马朝晖，戴媛 (1．山东大学晶体材料国家重点实验室，济南250100；2．清华大学化学系，北京 100084； 3．辽宁大学物理学院，沈阳 110036；4．清华大学摩擦学国家重点实验室，北京 100084) 摘要：采用提拉法成功制备出高纯铜(Cu)单晶，最大尺寸为615mmx60mm。采用化学机械抛光(CMP)方法对 Cu单晶基片进行抛光，借助光学显微镜、表面轮廓仪和扫描探针显微镜分析了基片表面形貌、表面粗糙度与表面均匀性，并探讨了抛光压力、表面活性剂和抛光垫对基片表面抛光的影响，结果表明：采用CMP加工后的铜单晶基片表面无宏观划痕、加工均匀性好，基片表面粗糙度为0．921Bin。关键词：单晶铜；化学机械抛光；表面粗糙度中图分类号：TG356．28 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2011)061418-05 StudyonChemicalM echanicalPolishingofCuSingleCrystalWafer PreparedbyCzoehraiskiM ethod LOUYou—xin，WANGJi-yang。，ZHANGHuaijin。，LIQiang2，YANQing-feng， MAZhao．hui．DAIYuan-jirtg4 (1．StateKeyLaboratoryofCrystalMaterial，ShandongUniversity，Jinan250100，China；2．DepartmentofChemistry， TsinghuaUniversity，Beijing100084，China；3．SchoolofPhysics，LiaoningUniversity，Shenyang110036，China； 4．StateKeylaboratoryofTrihology，TsinghuaUniversity，Bering100084，China) (Rece／ved18Ap埘 2011，accepted30Ju 2011) Abstract：ThebulkCusinglecrystalwiththesizeof西15mm ×60mm waspreparedbyCzochralski technique．Cusinglecrystalwaferswerepolishedbyaso-calledchemical-mechanicalpolishing(CMP) method．Thesurfacemorphology，uniformityandroughnessofas—polishedwaferwereanalyzedbyoptical microscopes，surface profilerand scanning probe microscopy．The influence ofpolishing pressure， surfaceactiveagentandpolishingpadonpolishingqualitywasdiscussed．Theresultsindicatethatthere isnomacroscopicscratchontheas—polishedwafersurfacewithgooduniformityandtheRavalueofCu waferis0．921nm inthefinalfinishingpolishingp