理想的非晶态硅和锗的结构模型.pdfVIP

维普资讯 北京女学学报 (自然科学版)，第26卷，第 !期 1990年 Aeta Sc￡entiartic Natur~|ium Unie tatisPeklnensis． VsL 29， № 1 (1990) 理想的非晶态硅和锗的结构模型 王 德 和 (计算机科 学与技术 系) 摘 要 ：}【晶态结构与相应阿晶态结构之间存在着一定的联系。据此，本文提出了一个美于理想 的非 晶盎半导体中原子排布的物理模型。利用它成功地将金剐石晶格 改造 成了非晶态硅和 锗的连 续无规 网格，所得结构模型的主要参数 (密度、径向分布函数等)均与实验结果符合得较好。 关铺调 非晶志半导体；原子排布；结构模型 1．引 言 在非晶态结构的研究中，由衍射实验得出的径 向分布函数 (RDF)只是近程有序性 的一 维描述，而且是对大量原子统计平均的结果，它不能完备地描述非晶态的结构。近年来新发 堤起来的一些蛮验方法，如 EXAFS，亦存在类似的问题。总之。目前尚没有一种有效的实 验手段能够完垒测．定非品态的结构。在这种情况下，藉助结构模型来进行这方面的研究就变 得尤为重要了。结构模型不仅为我们提供了一个认识非晶态结构的具体 图象，而且它给出的 原子坐标数值也是许多进一步的理论计算工作 (如声子谱和 电子态的计算)所必需的。 1971年 Polk手工建造 r非晶硅 (a—Si)和锗 (a～ce)的连续无规网格 (CRN)模型， 取得了初步的成功 - 此后，CRN 模范遥渐为多数人所接受并对模型的建造工作进行了许 多改进，主要是计算机的广泛使用和对结构进行松 驰 处理 ，使模型的性质更趋完善。 不过，迄夸为止人们尚未找到非晶态固体中原子排布的内在规律，模型的建造工作基本上还 是停留在纯经验的阶段，缺乏明确的理论上的指导。 我们认为，在非晶志固体中原子排布虽然失去了平移对称性，但仍然存在着 某 种 规 律 性。这种规律性除了表现在短程有序 E还表现在非晶态结构与晶态结构之闻的联系上．即大 多数的非品志固体都有着与相应的晶态固恪类姒的短程有序结构单元。在具体分析 了许多非 晶态半导体的结构与相应的晶态结构之间的异同之后，我们提出了一个关予理想的非晶态半 导体中原子排布的物理模型 从这个物理模型出发，能够比较简便和准确地模拟有关非晶态 的结构，建造出与实验结果相 当一致 的结构模型。 奉文1989年 月15日收列 维普资讯 筹 1期 理想的非晶志硅和锗的结构模型 2．物理模 型 该物理模型主要包括以下三点内容： (1)大量实验结果表 明，在许多非晶态材料中对应晶体的短程有序结构仍然保留着， 以共价结合为主的各种非晶态半导体材料就属 于这 种 情 况，例 如：a—Si、a—Ge、a—As和 a—GaAs等，它们各有不同的结构，就是 同一种材料，由于制备工艺不恩其 内部原子的 排布情 况也会很不相同，但 由衍射实验得到的 RDF却很相似，表现出微观结构方面的某些共性： 它们的键长都与对应晶体的键长基本相等，而且近邻数也相同，但键角却有较大变化……这 些原子排布上的共性显然是来 自非晶态材料的固有结构，体现了理想的非晶态结构中原子排 布的某种规律性。就近程范围来看，每一个原子都保持着与对应晶体中的原子基本上相同的 有序性 近程有序，但这种近程有序又不同于 晶体中的严格有序，而是带有畸变的，正是 这种畸变逐渐积累的结果，使得有序性在长程范围内丧失，变为长程无序 为此，可 以将理 想的非 晶态半导体中的原子位矢r表示成： rt R u 1，2，……N) — — (1) ．+ 其 中Rj为对应晶体中的原子位矢，位移 矢量 11．代表了非晶态结构相对晶态结构的畸变，它 的大小反映了非晶态结构