基于电流信息的CMOS SRAM存储单元故障测试.pdfVIP

维普资讯 100 传感器与微系统(TransducerandMicrosystemTechnologies) 2008年 第27卷第6期 ＼ 计算与测试 (I ． 《s 、 。 基于电流信息的CMOSSRAM 存储单元故障测试 陈 飞，王友仁，崔 江 (南京航空航天大学 自动化学院，江苏 南京 210016) 摘 要：针对深亚微米技术，提出了差分静态电流技术和动态电流技术相结合的方法对 CMOSSRAM存 储单元进行故障诊断，针对该方法改进了0—1算法。改进的0—1算法与传统的March算法相 比，明显降低 了测试开销。以四单元存储器为诊断实例 ，针对桥接故障、开路故障与耦合故障，实现了100％故障诊断 覆盖率。实验结果证明了新方法具有故障覆盖率高的特点，能够诊断传统逻辑测试法难以探测的部分故 障。 关键词：数字电路测试；电源电流检测 ；存储器故障；故障诊断 中圈分类号：TP206+．3 文献标识码：A 文章编号：1000--9787(2008)06--0100--04 Testingfaultin CM OSSRAM circuit b’aSec110n current-si·gnall币 CHENFei，WANGYou-ren，CUIJiang (CoHegeofAutomationEngine，NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics，Nanjing210016，China) Abstract：Aimingatthetechnologyofverydeepsub—micron(VDSM)，themethodwhichcombinesdelta-／DD0nad ，DDTtotestCMOS SRAM isproposed，nad the0-1arithmetic forthe method isimproved．Theimproved0-1 arithmeticcomparedtotraditionalMracharithmeticobviouslyreducesspendingoftesting．A samplediagnosisof memorycircuitwhichhasfourcellsreaches100％ faultcoveragewhiletestsbridgefault．openafultnadcoupling afult．Thetestresultsceaifythatthe new method hashigh faultcoverage，nad Cna diagnosesomeafultwhich traditionallogictestingdifficultlydiagnose． Keywords：digitalcircuittesting；powersupplycurrenttesting；memoryfault；faultdiagnose 0 引 言 深亚微米工艺和多故障情况下的存储器故障诊断。 随着集成电路的设计技术和制造工艺的不断改进，存 本文提出了差分静态 电流技术 (△，D。。) 和动态 电流 储器集成度也越来越高，而存储密度的增长使存储器的测 技术 (，。。)相结合的方法对 CMOSSRAM存储单元进行故 试面临新挑战，尤其是在深亚微米工艺情况下 。存储器 障诊断 j，针对该方法改进了0—1算法 。新方法可解 属于比较难测的电路 ，因为存储器测试通常需要大量的测 决深亚微米技术下出现的静态电流测试无法区分问题，避 试模式来激活故障，并将存储器的单元内容读出来与标准