生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响.pdfVIP

维普资讯 第29卷 第3期 发 光 学 报 V01．29 No．3 2008年 6月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Jun．，2008 文章编号：1000—7032(2008)03-0551-06 生长温度对纳米氧化锌场发射性能的影响 杨夏喜 ，张晓兵 ，杨 扬 ，雷 威 ， 李 晶 ，屈 科 ，张 鹏 ，李 驰 ，丁美斌2 (1．东南大学 电子科学与工程学院，江苏 南京 210096；2．合肥工业大学 理学院，安徽 合肥 230009) 摘要 ：采用锌粉和银粉为蒸发源，用热蒸发法不同温度下制备了四针状纳米氧化锌，并以单独的锌粉做对 照。采用扫描电子显微镜(SEM)观察其形貌，X射线衍射 (xRo)谱表征其晶体结构。采用丝网印刷方法将 其制备为场致电子发射阴极，将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏，并进行了场 致电子发射特性对比实验。结果表明较高温度制备的氧化锌具有较好的场致发射性能；掺杂银粉的蒸发源 制备的样品的发射性能明显优于没有掺杂银粉的样品。实验证明ZnO是一种优 良的场致发射冷阴极材料， 在真空电子方面具有广阔的应用前景。 关 键 词：氧化锌；场致电子发射；平板显示；纳米材料 中图分类号：0462．4；0484．4 PACC：7970 文献标识码 ：A 近几年，关于ZnO纳米结构制备及其场电子 1 引 言 发射的文献报道逐年增加。Lee等人研究了采用 场发射显示器被认为是未来最有前途的平板 金属钴作为催化剂制备的ZnO纳米线的场 电子 显示器之一，但是场发射显示器的研究 目前还处 发射性能 ¨引，获得0．1 cm 的电流密度需要 于初始阶段 ，提高显示质量和降低成本是进入市 大约6．0V／l~m的外加电场；获得 1．0mA／cm 的 场的关键。场发射阴极作为场发射显示器的重要 电流密度需要 11V／l~m的电场。Xu等人研究了 部件，受到越来越多的关注，至今已经历Spindt场 钉子状一维ZnO纳米结构的场电子发射特性，获 致发射阴极阵列、金刚石薄膜 阴极、纳米碳 管 得0．1I~A／cm 的电流密度所需要的电场为 1．9 (CNTs)发射阴极等阶段 1【J。近年来，新型半导 V／l~m¨。Zhao等通过在氧气中将 ZnO纳米棒 体和纳米氧化物 (如 SiCNl4]，A1N_5]，GaN_6J， 进行退火的处理方法，得到的开启场强 (0．1 A／ ZnO 【引，CuO 等)场致发射阴极也逐渐被广泛 cm)为4．1V／l~m，当电场为9V／l~m时得到4 地应用。其中氧化锌 (ZnO)就是一种有着广阔应 mA／cm 的电流密度¨。Park等人在Au／Ti／n—Si 用前景的n型宽禁带半导体材料 ，具有宽带隙特 (100)基底上制备了有序的ZnO纳米针阵列，得 性(3．37eV)，激子束缚能为6OmeV。ZnO具有 到0．1I~A／cm 的电流密度只需0．850V／l~m的 抗氧化性，能够克服如碳纳米管(CNTs)在低真空 外加电场 ，得到 1．0mA／／em 的电流密度也只需5 度下被氧化的缺点；极小的电子亲和势显著降低 v／m的电场 ¨。。。本文采用热蒸发法制备了四 了场发射的阈值 电压。到 目前为止，不同的方法 针状的纳米氧化锌并将其作为阴极 ，进行了场致 已经运用于制备纳米氧化锌，如金属有机化学气 发射性质的研究。实验结果表明，四针状 ZnO纳 相沉积法 (MOCVD)¨ ，气相转移法 (VPT)…和 米材料