未确认Mura分析及改善对策.pdfVIP

第 26卷 第 5期 液 晶 与 显 示 Vo【．26 NO．5 2011年 10月 ChineseJournalofIiquidCrystalsandDisplays ()ct．，201】 文章编号 2011)060612—04 未确认Mura分析及改善对策 徐 伟h，彭毅雯 ，肖光辉 (1．清华大学 电子工程系，北京 i00084，E—mail：xuwei@boe．eom．cn 2．北京京东方光 电科技有限公司 ，北京 100176) 摘 要：未确认 Mura是一种能够影响TFTLCD画面品质的不 良。文章对未确认 Mura不 良进行了详细的 分析 ，认为扇形区域 出现有源层残 留是导致未确认 Mura不 良发生 的原因，介绍 了一种通过变更曝光工艺条 件来解决此种不 良的方法，并通过试验论证了此方法的量产可行性。 关 键 词 ：未确认 Mura；扇形区域 ；有源层残 留；曝光工艺条件 ； 中图分类号 ：TN141．9 文献标识码 ：A DOI：10．3788／YJYXS2Ol12605．0612 AnalysisandImprovementofUnknownM ura XU W ei¨．PENG Yi—wen～。XIA()Guang—hui DepartmentoJElectronicEngineering，TsinghuaUniversity，Beijing l00084 China，E-mail：xuwei@boe．COIn．en； BeijingBOEo卸0 cfr0 sTechnologyCo．Ltd．，Beijing 100176，China) Abstract：AstotheTFT—LCDandotherdisplaymonitors，Muraisarelativelynormaldefect whichwilldegradethedisplayqualitygreatly．TheanalysisoftheunknownM ura，indicated thattheactiveremainintheFan—outareaarethemainreasonoftheunknown M ura，anda novelmethodisintroducedtosolvethisdefectbychanging theconditionofPhotoprocess． Themassproductionfeasibilityofthismethodhasbeendemonstratedthroughexperimenta— tion。 Keywords：unknownM ura；fan—outarea；activeremain；exposurecondition — ∑一 一 种通过变更不同曝光工艺改善不 良的方案，并 口 通过试验验证 了方案的可行性。 随着半 导体 制造工艺 的发展 ，TFT—LCD 2 不 良现象及原因 (ThinFilmTransistor—LiquidCrystalDisplay)技 术有成为现代显示工业发展的趋势。 2．1 不 良现象 Mura(显示区域 内由于画面均一性不好而显 在显示同一灰度时，屏幕右侧 出现竖 向未确 现出来 的一种现象)不 良一般是在阵列 (Array) 认 Mura，不 良区域灰度和屏幕其他区域不一致如 工艺制造过程 中产生 的口j。