聚焦离子束工作原理及刻蚀性能研究.pdfVIP

：圭昱签遣皇遮鱼： 蠢 团 聚焦离子束工作原理及刻蚀性能研究 颜秀文 ，贾京英 (中国电子科技集团公司第 四十八研 究所 ，湖南长沙410111) 摘 要 ：综述 了聚焦离子束系统的结构和基本原理 ，介绍了国产化聚焦离子柬系统的结构与特 点。基于国产化聚焦离子束 系统进行 了硅材料刻蚀 实验 ，研 究了硅材料刻蚀速率与 离子束流大小 的关 系，建立了刻蚀速率与柬流大小的关 系方程，进行 了硅 悬梁微 结构刻蚀加工 结果表 明 ．国产 聚焦离子柬 系统可满足硅微悬梁结构加_7-的应用需要 关键词 ：聚焦离子柬 ；刻蚀速率：离子柱 ：微悬梁 中图分类号：TN305．7 文献标识码 ：A 文章编号：1004—4507(2010)09．0014．03 TheStudyofPrinciplesandEtch Propertiesof FocusIonBeam System YAN Xiuwen，JIA Jingying (The48thResearchInstitute，CETC，Changsha410111，China) Abstract：Theequipmentstructureandprincipleoffocusionbeam (FIB)systemwerereviewed．The equipmentcharacterand structureofdomesticallyproducedFIB system wereintroducedand silicon waferswereetchedbaseon thisequipment．The relationship between etchingratio and ion beam currentwere investigated in the silicon wafer etching experiment，therelationship equation was derived，andthesiliconmicrocantileverhasbeenetched．Theresultsshow thatdomesticallyproduced FIB system cansatisfytheneedofsiliconmicrocantileverprocess． Keywords：FocusedIonBeam System；EtchRatio；IonColumn；Microcantilever 聚焦离子束系统(简称FIB)具有许多独特且非 为TEM、SEM、EDX、AEX等分析手段进行制样_l1。 常重要 的功能，已广泛应用于半导体工业 中。它通 目前 ，国际上有几十家技术力量雄厚 的公司、 过把离子束聚焦样品表面 ，在不 同束流及不同气体 大学或研究所进行聚焦离子束系统开发，其 中包括 的辅助作用下，可分别实现图形刻蚀、薄膜材料沉 美 国贝尔实验室、康纳尔大学、FEI公司、瓦里安公 积、纳米尺度结构制作和扫描离子成像等功能，能 司；日本大阪大学、精工仪器(Seiko)、电子技术综合 够进行材料的微纳米尺度加工，可快速、高精度地 研究所、三菱 电子；英国剑桥大学、VG公司等。其 收稿 日期 ：2010．07．25 ⑩ (总第l88期)团■匝砸 鼍 电 子 工 业 董 用 设 备 · 半导体制造与设备 · 中以美 国FEI公司和 日本精工仪器 (Seiko)处于领 2 国产化聚焦离子束系统 先地位 。FEI公司作为世界上聚焦离子束系统的主 要供应商 已成功将聚焦离子束系统进行 了系列化