纳米SiO2修饰碳糊电极上杀草强的电化学测定.pdfVIP

i 纳米S02修饰碳糊电极上杀草强的电化学测定★ 张磊，姚秉华”，胡汉惠，付兴隆，李静静 (西安理工大学应用化学系，陕西西安710054) 关键词s纳米Si02；修饰电极；碳糊电极；电化学测定；杀草强；农药分析 碳糊电极(Carbonelectrode，CPE)具有残余电流小、制作简单、表面易更新等特点， paste 用纳米材料对其进行修饰和改性，进行药物分析是近年来电分析化学研究最为活跃的领域IlJ。 杀草强(3．氨基．1，2，4-三唑)是一种使用广泛的化学除草剂，由于它在水中残留的低挥发性 (bp=260℃)和高溶解性(2809．L。1)，导致它能通过植物以及水介质造成食物链污染【2】。杀草强的 测定有流动注射13】、液相色谱f4】、电泳‘5】等方法，但用nano-Si02／CPE进行电化学行为研究与 强的电化学行为，用于模拟样品中杀草强的分析，取得满意结果。 1实验部分 1．1nano-Si02／CPE的制备 将0．019nano．Si02与0．999石墨粉混合，滴入0．2mL石蜡油，在玛瑙研钵中充分研磨，混 合均匀后压入聚乙烯管，压紧后用铜线引出，在称量纸上抛光后得到未活化的nano—Si02／CPE。 9．5 将未活化的nano．Si02／CPE在pH 以及三电极系统(nano．Si02／CPE为工作电极、饱和甘汞电极为参比电极、铂电极为对电极)， 1．2实验方法． 3．O)7．00mL于电解池中，采用 取一定量杀草强(美国Supelco公司)的磷酸盐缓冲溶液(pH 上述三电极系统，在0．3～1．2V之间进行脉冲伏安扫描，记录+O．986V(vsSCE)的峰电流。标 5HAc．NaAc底液中在一1．O～+1．OV的范围内 准加入法定量。测量完毕，将修饰电极置于pH 以100mV·So循环扫描10次即可除去吸附在修饰电极表面的残留物，恢复电极活性。需要更 新电极表面时，从电极前端挤出2～3ram碳糊，抛光活化，用二次水冲洗后即可使用。 2结果与讨论 2．1杀草强的电化学行为 3．0的磷酸盐缓冲溶液中，于O．3～1．2V范围内进行循环伏安扫描，结果如图l所示。 在pH 由图可以看出，杀草强不论在CPE上，还是在nano-Si02／CPE上都于+0．986V(vsSCE)处有一 稳定的氧化峰，但后者氧化峰电流较大，约为前者的2．5倍。说明采用纳米Si02进行CPE掺 杂修饰后，电极的表面结构和性质发生了显著变化，为杀草强的氧化提供了更有效地催化活 q甘6_＼．I_目pJJjU 《叩o_＼菖2．TjU 图I杀草强在CPE(a)和llano-Si02／CPE(b)图2杀草强在nano．Si02／CPE上的 上的循环伏安曲线 微分脉冲伏安曲线 13l ·陕西省自然科学基金(SJ08816)资助项目 IP*通讯作者：姚秉华．Tel．(029E-maihbhyaoa@xaut．edu．cn 一 性表面。回扫时没有发现还原峰，说明杀草强在nano-Si02／CPE的电极反应是一个不可逆的氧 化过程。在同样条件下，采用DPV进行扫描(见图2)，发现该方法灵敏度高(约为线性扫描 的1．5倍)，峰形稳定，本文采用DPV进行杀草强的测定。 2．2实验条件的选择 结果表明，在磷酸盐缓冲液中峰电流最大，且峰电位稳定。改变该缓冲液的pH(3--9)，发现随 3．0的0．2tool·L．1磷酸盐缓冲溶液作为最佳测定介质。 pH的增大，峰电流逐渐降低。故选择pH 在该测定介质下，于20--一260mV·s-1之间研究了扫描速度(D)的影响，发现峰电流随D的增加 逐渐增大，且与t，的平方根呈线性关系，说明杀草强在nano．Si02／CPE修饰电极上的电极反应 受扩散控制。 在上述条件下，对脉冲伏安法的测定条件