掺铝氧化锌压电薄膜的制备和表征.pdf

,, ? , :.. 廿? 、 . . . . . .. . 。.. . :, 掺铝氧化锌压电薄膜的制备和表征 潘峰郭航 厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心 利用溶胶.凝胶法普通载玻片衬底上制备出了铝离子掺杂的氧化锌透明压电薄膜。利用扫描电子显微镜 对制备的薄膜进行了表征,得出了不同的铝掺杂浓度下薄膜的表面形貌特征,同时用射线衍射表 征生长的薄膜的取向,研究了不同的铝掺杂浓度及不同热处理条件对薄膜的晶格取向和结晶质量的影 响;我们也应用了紫外.可见光分光光度计研究了不同退火温度对薄膜透射谱的影响。结果表明,%铝掺杂浓度 条件下薄膜的结晶性与微观组织结构较优,其轴择优取向性较好;在进行热处理并退火以 上的条件下制备出的薄膜,其轴取向都较优,单晶结晶性能较好,且光学透射性能较好。 关键词:掺铝氧化锌薄膜,射线衍射谱,透射光谱,溶胶.凝胶法 学气相沉积,分子束外延,有机金属气相外延,反应 . 引言 沉积,喷雾热解和溶胶一凝胶法等方法。在这些技术 当中,溶胶.凝胶法具有许多优点,包括:处理温度 氧化锌是一种具有六方纤锌矿晶体结构的宽禁 低、组分控制容易、成分均匀、容易大面积成膜以及 带Ⅱ.Ⅵ族半导体材料,基于其优良的特性,在太阳 低成本。本文探讨采用溶胶凝胶技术制备溶胶 能电池、紫外探测器、声表面波器件、气敏传感器、 及旋涂法旋涂生长,在此基础上表征所制备的 透明电极等方面得到了广泛的应用。但是通常 薄膜的晶体结构、形态、微结构及透射谱,并 存在各种缺陷,它们严重影响了半导体材料的电学和 比较不同热处理温度、退火温度对薄膜特性的影响, 光学性能。未掺杂材料通常表现为型导电特 从而确定一系列较为优化的实验参数,为今后制备 性,一般认为是由于氧空位和间隙锌等本征点缺陷的 薄膜提供指导。 存在而导致的。近年来,由于掺杂的薄膜 具有与薄膜相比拟的光电性能,即可见光区的高 . 实验 透射率和低电阻率,同时又因其价格较低以及在氢等 离子体中的高稳定性等优点,已经成为替代昂贵的 以二水合醋酸锌和氯化铝分别作为锌源和铝源,以乙 薄膜的首选材料和当前透明导电薄膜领域的研究 醇胺作为稳定剂,将其溶解在乙二醇甲醚溶剂中。其 热点之一。 中,乙醇胺与醋酸锌的摩尔比为:,锌离子的浓度 为./:铝掺杂浓度按铝原子与锌原子之间摩 制备薄膜的方法比较多,主要包括脉冲激 光沉积,直流磁控溅射,射频磁控溅射,有机金属化 尔比计算,称取相应的原材料质量,加入到乙二醇甲 .//.◎ . 醚溶剂。接着,将溶液在。恒温水浒中磁力搅 大小变得非常均匀.且薄膜的表面结构致密。从圈 拌小时.等溶液坐得均匀遗叫后,再在窜温陈化 我们可以看到,、’钳的掺祭诔度为%时,颗 粒大小义变得根币均匀,且出现少量尺寸较大的颗粒 小时,挤胶制蔷完』笠备用。 团聚现蒙,侗其组织结构致密。当铝的掺杂浓度为 村底选用普通玻璃载玻片。片先.载玻片分别枉 %时,小仉颗粒小变得很小均匀,颗粒团聚现象 山酮、无水乙醇溶液,分别超声清洗丹钟,吹十 也相应的开始增多。这说明%铝掺杂浓度条件下的 后用重铬胰钾溶泄巾浸泡小时.再用去离了水冲 薄膜表面形貌较优。 洗.然后将载玻片一直放吐无水
醇,储存,庄使用 之前取在窜温下干燥。经过选种方法清洗的载玻 . 射线衍射法旺晶帽分析 表面清洁度岛,能够保证’前体溶瘦很好的粘附。 溶胶以旋淙在衬底,旋滁时间为 我们用射线衍射仪Ⅺ∞分析住昔通玻璃载玻 秒。为了去除础泉的有机物,使旋滁的每一崖 上生长的薄膜的微结构.试验是在 薄膜结晶,我们在雠旋潦一腠薄膜后,放在一 ’ 射线衍射杖上进行的,采 定温度热处理分钟。为得到我们所需的薄膜 。。 用射线,扫描步长为 厚度.我们采用多次旋橡且每次旋涂完斤都要热处 理,最后存通轼的条什在一定温应下退火小时。 簿膜的性能测试,聚用射线衍射仪测定薄膜的 晶相结构.使用扫描电子址微镜脱察薄膜的表面和断 而彤貌,用紫外一『她丹光兜度¨测定薄膜的透射谱乎。 薄膜的表征 .扫描电镜丹析 。氅船:慧捌黧微裟怒躲:勰。 。?【” 目数种∞薄毒萎自∞月 ””。“蹦:饕。”。“”。。黛:嚣燃 ”““““?慧施“”””?” ””“?。篙蒜;:曩%搿”。“”“。 裟::舞勰芝鬻慧警篓罢紫赛 圈所示为纯薄膜以及币啊掺杂浓度条什的 薄膜表面的图像。町以看出,随着掺杂浓 图所小为纯以及不同掺杂婊度条件下的 度的变化,薄膜的表】微观彤貌也技生着很太的变 薄膜的谱圈。巾圈中可以看出未掺杂的薄 化,特别楚在表面颗粒的村方面。未掺杂的纯 膜的衔射峰强度币夫.且】、、这三个 薄膜的袭酊颗粒小根不均匀,“粒为结构齄为分 衍射峰均比较明显.鼻铝酌掺杂浓度为%时, 散,如目所示。在崮【中,“的掺杂浓度为 的峰值得到丁明显的加强,峰值从未掺杂的增加 %时.薄膜的结构得到丁撤大地善.