宽带低损耗纵向耦合滤波器的仿真与设计.pdf

、Ⅳ. , , ,?:,孕 .... . 、Ⅳ Ⅲ ’ , . %, . ... ., 丽%, ., , . : , 宽带低损耗纵向耦合滤波器的仿真与设计 杜波石玉李朋王华磊 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 ,.,.. 为解决双模纵向耦合滤波器带宽窄、带外抑制差的缺点,设计了由五个换能器组成的纵向耦合滤波器结构,它可 以降低器件的损耗,增加其%以.卜的带宽并提高通带高端的带外抑制。然后,通过在换能器之间设置耦合短路 栅,进一步改善了滤波器的带外抑制和矩形系数。最终,采用两级带耦合短路栅的五滤波器级联结构,设计 出带宽%,损耗.,带外抑制,矩形系数.的滤波器。 关键词:纵向耦合滤波器,声表面波双模滤波器,耦合模模型 可以进一步降低器件的插入损耗。由于短路栅的耦合 . 引言 作用,滤波器通带高端的带外抑制、陡度特性也得到 提高,改善了滤波器的矩形系数特性。最终,采用两 声表面波纵向耦合滤波器是近年来移动通信前端射 级该结构的滤波器级联,利用模型仿真设计了 频滤波器的常用滤波器结构,相对于其他声表面波滤 中心频率、最小插入损耗.、带内纹波 波器结构,它具有体积小、插入损耗小,能实现平衡 小于、带宽%、带宽.%、矩形系 滤波器结构等优点。但是,它的通带高端外的带外抑 数.、带外抑制的滤波器。 制和陡度特性较差,目前常用多级滤波器级联来提高 它的带外抑制,但是这样会成倍地增加器件的插入损 . 耦合模模型与仿真 耗【】。 .耦合模模型 针对纵向耦合滤波器的上述缺点,有文献提出了 两个纵向耦合滤波器并联的结构,通过合理调整两个 模型能考虑进声波反射等二阶效应,所以被广 滤波器的结构参数,使得它们在通带处相位相等,在 泛应用于谐振型声表面波器件的仿真,瑞利波 通带外高端频率处相位相反,从而在不影响通带插入 方程为 损耗的前提下提高了高端带外抑制,另外由于换能器 :善生:一歹眈玑一:【,曲, 个数的增加,换能器孔径缩短近一倍,可以减 似 小器件的电阻损耗】。 曼掣:,:.工一,’ 本文将两个并联滤波器合并成具有五个的 滤波器结构,缩小了器件的体积,并在两个之间 加入耦合短路栅以减小间隙处的体波辐射损耗, . .?//.◎ 射栅,从而减小了器件的体积。在相同的带宽下,五 ?一‘工一,,工,脚矿 滤波器的孔径长度小于三的一三模纵向耦 合滤波器,因此可以减小阻抗损耗从而减小器件的插 其中,工是沿±方向传播的模的振幅,七 入损耗。反射栅之问的个数的增加可以产牛更 和‘;。是瓦耦系数,幺是失谐系数,和‘为转换系 多的纵向谐振模,拓宽滤波器的通带宽度。通过优化 数,表示激励效率大小,是静电容。 器件几何结构,可以使通带高端外的频率响应相互反 为使模型能精确模拟型声表面波器件, 相,使得它们相互抵消,得到比一三模滤波器更高的 提出了周期栅阵中传播型表面波的耦合模 带外抑制。 理论,并给出了包含两个参数的型声表面波频散 图为五滤波器和一三模滤波器的频率特 关系: 性比较,从中可以看出,五滤波器可以实现更 宽的带宽,更小的损耗和带内纹波。 其中,以为入射波与反射波相互耦合的被干扰模 一 的波数,是表示反射的参数,玎是表示 是口 渗透深度的参数,为调节系数,//, 鼍∞ 为角频率,%为波速,为周期。 霸 本文采用开源软件【】,计算得到了 ‘稍 钽酸锂基片上占空比.、不同厚度的无限长 皇 铝膜栅阵的参数: ?曲 /. .// 啼●
..// 拍 惦 Ⅻ 铬 嘲 锈 叠 一 臻搴屑 ../ 频率特性 ../ 其中为机电耦合系数、为金属膜厚、为反 ● 射栅周期。 哇 将方程转化成矩阵,利用矩阵的级联 雩一 进行计算,可以简化运算,方便程序优化。在完成 矩阵的级联后,将其换算成导纳矩阵,再转换成 冀 参数矩阵,最终完成器件的模拟。 舅● ‘ 一● .五纵向耦合滤波器 五纵向耦合滤波器的结构如图所示,它由五个 一● 和两个短路反射栅组成,其中 为输入 ,和为输出。 攮奉屑 通带放大图 图.五与三滤波器比较‘ . 带中间栅的纵向耦合滤波器 当基片表面的金属栅和被间隙隔开后,在间隙 处的能量储存效应会减弱,使得能量变成体波辐射进 基片,造成插入损耗的增加。为了进一步减小滤波器 图.五滤波器结构 . 的插入损耗,本文通过在之间设置短路栅,去 除了间隙处不连续性,减小体波辐射效应。通过仿真 这种结构相当于在同一声波传播方向上排列的 发现由于之间短路栅的反射和耦合作用,滤波 两个并联一三模纵向耦合滤波器。相比并联结构的滤 器通带高端的带外抑制、陡度等性能有显著提高。 波器,五滤波器去掉了并联滤波器之间的两个反 对数:.对 对数:.对 黝“㈧% 反射栅根数:根 中间栅根数:根 中间栅根数:根 中问栅与间距均为:. 孔径: 反射栅间距:九 图.带中间