一类流场作用下晶体生长模型解的适定性.pdfVIP

2Ol0年 l0月 皖 西 学 院 学 报 Oct．．2010 第 26卷第 5期 JournalofWestAnhuiUniversity Vo1．26 O．5 一 类流场作用下晶体生长模型解的适定性 汪 轶 (皖西学院 应用数学学院，安徽 六安 237012) 摘 要 ：晶体在形核时。熔体 内存在的温度和浓度起伏有助于扩大 “近程有序”结构的范围，进而促进形核。研究熔体 中有对 流作用时三维非稳态晶体生长的温度起伏和浓度起伏数学模 型 ．有助于从本质上认识这一 自然现象。证 明了稳定流场的作用下 晶体生长数 学模型解的适定性 。 关键词 ：金属凝 固；晶体生长 ；偏微 分方程 中图分类号 ：TG1l1．4 文献标识码 ：A 文章编号 ：1009—9735(2010)05—0067--02 WangMu等 m 发现，凝 固过程中熔体 内存在 D2： [一z，z]×[一z2，12]×Eo，vl， 的温度和浓度起伏有助于产生形核。在电化学沉积 Do。= {(z，，z)，～Zl≤ ≤ 12，一12≤ Y≤ 2， 实验中，发现在扰动 电流的作用下枝晶尖端附近的浓 0≤ ≤+oo)(下同) 度场是振荡的[a3。在前期研究基础上 ]，本文证明熔 用 u(x，Y，，￡)乘以(1)式的两端 (此处T应改为 体中有远场强加来流作用下三维非稳态温度起伏 的 “)，并在 数学模型的解是适定的。 D 一[一z，z]×[一z2，z]×Eo，,73×Eo，r]上积 对于三维非稳态晶体生长问题，在稳定流场的作 分有 用下，记 z方 向熔体的流动速度 =，x方向 ，y方 向 2』』[()。+()+(塞)。]如ddzdt ， 则温度起伏的控制方程和定解条件为： a2T十，a2T十． 丁、 a丁 aT a丁 8T 一 一 一 q-~1If；“(x,y,z,t)dxd (1) 一 T(x— Zl，Y， ，￡)= T(x+ Z1， ， ，￡)， 肌。(x,y,Tl,t)dx州z T(x， — Z2， ，￡)一 T(x，Y+ Z2，z，) (2) 一 T(x，Y，z，O)一 f(x，Y，z) (3) 詈』f』(z，，，7，)dxdd (6) T(x， ，0，￡)一 g(x，Y，￡) (4) 在上式两端 同乘 e-{，然后关于 Tl从 0到 s积