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第 28 卷 第 3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 3
2013 年 3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2013
文章编号: 1000-324X(2013)03-0312-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12256
VSe2 薄膜的光电性质及背接触特性的研究
杨镓溢, 高静静, 王文武, 曾广根, 李 卫, 冯良桓, 张静全, 武丽丽, 黎 兵
(四川大学 材料科学与工程学院, 成都610064)
摘 要: 采用电子束蒸发法制备 VSe2 薄膜并进行退火处理, 通过 XRD 、SEM、透过谱、Hall 效应、电导率–温度关
系等表征了薄膜的结构、形貌、光学和电学性质, 用半导体特性测试仪研究了 VSe2 薄膜的背接触特性。结果表明:
VSe2 薄膜在一定的退火温度下结晶并呈稳定的六方相, VSe2 薄膜为 p 型直接禁带跃迁材料, 光能隙约 2.35 eV 。将
VSe2 作为背接触层应用于 CdTe 多晶薄膜太阳电池, 消除了 roll-over 现象, 有效提高了器件性能。
关 键 词: 背接触; VSe2 薄膜; CdTe 薄膜太阳电池
中图分类号: TM910 文献标识码: A
Optoelectrical Properties and Back Contact Characteristic of VSe Thin Films
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YANG Jia-Yi, GAO Jing-Jing, WANG Wen-Wu, ZENG Guang-Gen, LI Wei, FENG Liang-Huan,
ZHANG Jing-Quan, WU Li-Li, LI Bing
(College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu 610064, China)
Abstract: VSe thin films were prepared by using electron beam evaporation method and subsequently annealed at
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different temperatures. The structural, morphological. optical and electrical properties of VSe2 thin films were charac-
terized by XRD, SEM, optical transmission spectra, Hall coefficients and in situ conductivity measurements. And the
back contact characteristic of CdTe solar cells with VSe2 was investigated by dark J-V measurements. The results show
that the films are crysta
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