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材料导报 ：研究篇 2010年 11月(下)第24卷第 l1期
Sol—gel法制备 Pb(Zr0．53Ti0．47)O3铁 电薄膜
郭冬云 ，一，毛 薇。，秦 岩。，黄志雄 。，王传彬 ，沈 强 ，张联盟
(1 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070；2 武汉理工大学材料科学与工程学院，武汉 430070)
摘要 利用Sol—gel工艺在Pt／Ti／SiO2／si衬底上制备了Pb(Zr。．53Ti )O3(PZT)薄膜，研究了退火温度、保温
时间和薄膜厚度对其晶相、微观结构和铁电性能的影响。在500C退火处理的PZT薄膜开始形成钙钛矿相；在 550~C
退火处理的PZT薄膜基本形成钙钛矿相结构；升高退火温度 (500 850~C)、延长保温时间(3o～150min)、增加薄膜
厚度 (120~630nm)都有利于PZT晶粒的长大。在65o～750。C退火的PZT薄膜具有较好的铁 电性能，保温时间对
PZT薄膜的铁电性能影响不大，PZT薄膜的厚度为200~300nm时可以得到比较好的铁 电性能。在退火温度75o~C、
保温时间30min条件下退火处理厚 310nm的PZT薄膜 ，其剩余极化值 (2 )和矫顽 电场 (2Ec)分别是 72,uC／cm 、
158kV／cm。
关键词 Pb(Zr0s3Ti 7)()3薄膜 Sol—gel工艺 退火温度 保温时间 薄膜厚度 铁电性能
中图分类号：TB34
PreparationofPb(Zro．s3Tio．47)03FerroelectricThinFilms
bySol—gelM ethod
GUODongyun ，MAOWei。，QIN Yan。，HUANGZhixiong ，WANG Chuanbin ，
SHEN Qiang，ZHANGLianmeng
StateKeyLaboratoryofAdvancedTechnologyforMaterialsSynthesisandProcessing，W uhanUniversityofTechnology，
W uhan430070；2 SchoolofMaterialsScienceandEngineering，W uhanUniversityofTechnology，W uhan430070)
Abstract Pb(Zr0
． 53Ti047)O3(PZT)thinfilmsarepreparedonPt／Ti／SiOz／sisubstratesbysol—gelmethod．
Theeffectsofannealingtemperature，holdingtimeandfilm thicknessoncrystallization，microstructureandferroelec—
tricpropertiesisinvestigated．Theperovskitephasebegingtoform intheP filmsannealedat500~C．W ithincrea-
singtheannealing temperaturefrom 500。C to850C，holding timefrom 30min to150min，andfilm thicknessfrom
120nm to630nm．thegrainsizeinthefilmsincreases．ThePZT filmsannealedat650～750℃ andwith thicknessa—
bout300~ 400nm show goodferroelectricproperties．W hen the310nm-thickPZT filmsareannealedat750℃ with
30min，theremnantpolarization(2P)andcoercivefield(2E)are72u,C／cm and158
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