半导体纳米颗粒电子的超快弛豫过程.pdfVIP

第 39卷第 10期 光 子 学 报 VoI．39No．10 2O1O年 10月 ACTA PHOTONICA SINICA ()ctober2O1O 文章编号：1004—4213(2010)10—1738—4 半导体纳米颗粒 电子的超快弛豫过程* 陈振宇，梁瑞生 ，黄曙亮，廖浩祥，马志俭 (华南师范大学 信息光 电子科技学院 光子信息技术广东省高校重点实验室，广州 510006) 摘 要：为了研 究在飞秒激光作用下半导体纳米颗粒的超快动力学过程，建立了一个带表面态的三 能级结构 的载流子弛豫简化模型 ，得 出各能级 的电子速率方程 ．利用数值模拟方法模拟 出各能级 电 子密度和差分吸收率随时间的变化情况，得知 由于吸收截面的变化，差分吸收谱会有一个超快的变 化过程 ．并将模拟结果与 Fanxinwu等人的实验结果相 比较，其 曲线特征基本一致．说明该模型有 一 定的合理性 ． 关键词 ：半导体纳米颗粒；载流子弛豫；速率方程 ；数值模拟 中图分类号 ：0431 文献标识码 ：A doi：10．3788／gzx1738 0 引言 中束缚激子的玻尔半径相 比拟)，能级开始分裂 ，带 隙变大 (见图 1)，这就是量子限域效应．从理论计 未来超高速通信系统要求更高的处理速度 ，现 算 。可知。半导体纳米颗粒的能级是分立 的，各能 今的光纤通信系统 由于要进行多次光 电转换 ，信号 级的简并度为2(N+1)(N一0，1，2…分别为第一激 调制和解调的速度跟不上 ，使信号的传输速度受到 发态 、第二激发态…)，即 』＼，能态能容纳的电子数为 很大影响．解决这一问题就要实现全光通信，也就是 2(N + ])个 ． 要实现光控制 、光处理．而实现这些都需要找出超快 响应机制 ，光致载流子 的超快过程就是其 中之一 ． 研究光致载流子超快过程的实验技术有多种， 萋 一 如四波混频技术[、时间分辨荧光技术、z扫描技 术 。等 ，其 中泵浦探测技术是最为常用 的技术之 一 r5 At 8 ． 近年来，结合泵浦探测技术，半导体纳米材料 om s Clusters 的超快响应引起了广泛的研究 ．J．z．Zhangl等 P 人指出半导体纳米材料的瞬态吸收谱是一个双指数 图 1 从原子 到体 材 料 的能级 结构 衰减过程，其中包括一个快驰豫过程和一个慢驰豫 Fig．1 Illustration ofenergy levelindifferentsystems 过程．TrevorW．Roberti_8等也得 出了相近 的实验 rangingfrom atomstobulkmaterials 结果．但是这些研究主要集 中在描述泵浦探测实验 在纳米量级情形下，由于处于表面的原子 比例 现象，没有对现象的原 因给出一个定性描述． 大大提高，在材料中引入了高密度的表面态．表面态 本文建立了一个三能级带两个表面态的载流子 来 自晶格和表面缺陷、带尾态、异质原子和悬空键等 弛豫模型，