紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺研究.pdfVIP

第 32卷第 6期 应 用 激 光 Vo1．32，No．6 2012年 12月 APPlED LASER Deeember2012 紫外激光切割磷化铟晶圆的工艺研究 周波 ， 郭亮 ， 彭信翰 ， 张庆茂 ， 罗泽锴 z (广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室，广东 广州 510006； z深圳市木森科技有限公司，广东 深圳 518102) 摘要 为提高晶圆的集成度，提升晶粒分离的质量和效率，采用以二极管泵浦的纳秒级调 Q紫外激光切割磷化铟晶圆，利用劈 裂机进行裂片，使用金相显微镜检测磷化铟晶圆的切割深度与切 口宽度。运用单参数变化法分析重复频率、占空比、切割速度 和辅助气体压力对切割深度影响，结果表明，切割深度与重复频率、切割速度近似呈反比关系，与占空比近似呈正比关系，而辅 助气体压力对切割深度的影响不大。通过正交实验设计得到切 口宽度的最优参数，当重复频率为200kHz，占空比为 10％，切割 速度为300mm／s，气压为0．2MPa时，最小切 口宽度达到6．2Ixm。综合分析了激光工艺参数和辅助工艺与裂片合格率的关系， 最终使磷化铟晶圆裂片合格率达到98％。 关键词 紫外激光； 磷化铟； 晶圆； 切割； 裂片合格率 中图分类号：TG485 文献标识码 ：A doi：lO．3788／A491 StudyonUV LaserCuttingProcessesofIndium PhosphideW afer ZhouBo， Guoliang， PengXinhan， ZhangQingmao， LuoZekai (LaboratoryofNanophotonicFunctionalMaterialsandDevices，Guangzhou,Guangdong510006，China； ShenzhenMusenTechnologiesCO．，LTD．，Shenzhen,Gunagdong518102，China) Abstract Inordertoimprovetheintegrationofthewafer,andtoenhancethequalityandefficiencyofrgain-separation，nanosecond diodepumpedQ—switchedUVlaserwasusedforcuttingInPwafer~splitting-machinewasusedofrthesplittingofInPwafer，the cuttingdepthandkerfwidthofInPwaferweredetectedbythemetallurgicalmicroscope．Usingthesingleparametervariationmethods toanalysistheeffectofrepetition~equency，dutycycle，cuttingspeedandauxiliarygaspressureon cuttingdepthofInPwafer,the resultsshow thattherewasanapproximateinverserelationshipbetweencuttingdepthandrepetition~equency，approximateinverse relationshiptocuttingspeed，approximatelyproportionaltodutycycle，andtheauxiliarygaspressurehaslittleeffectoncuttingdepth． Theoptimalparametersofkerfwidthwasobtainedthroughorthogonal experimentaldesign，whentherepetitionfrequencyequalsto 200 kHz，thedutycycle10％，thecuttingspeed300mm／s，thepressure0．2MPa，themini