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 2008年   12月                   北 京 航 空 航 天 大 学 学 报                     Deeember 2008 
 第34卷 第 l2期           JournalofBeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics Vo1.34 No.12 
         低压 CMOS折叠共源共栅混频器的设计 
                         宋 丹          张晓林          夏温博 
                         (北京航空航天大学 电子信息工程学院,北京 100191) 
        摘      要:基于SMIC0.18 mCMOS工艺,采用一种折叠共源共栅结构 ,设计实现 了一 
    种低压 CMOS折叠共源共栅混频器,解决 了传统 Gilbert混频器 中跨导级与开关级堆叠带来的 
    高电源电压 问题,以及在跨导级的高跨导、高线性与开关级的低噪声间进行折衷设计的难题. 
    该混频器核心 电路尺 寸为 165Ixm ×75Ixm,当射频信 号、本振信 号和 中频信 号分别为 
    1575.42MHz、1570MHz和5.42MHz时,仿真表明:该混频器转换增益(G)为 15dB,双边带噪 
    声系数为12.5dB,输入三阶截断点为 一0.4dBm,在 1.2V的电源电压条件下,功耗为3.8mw, 
    可用于航空航天领域的电子系统中. 
        关 键 词 :CMOS集成 电路;射频接收机 ;混频器 ;导航;电源;低压 ;折叠共源共栅 
        中图分类号:TN47 
        文献标识码:A             文 章 编 号:l001—5965(2008)12-1452—04 
              Designoflow voltageCMOS folded-cascodemixer 
                           SongDan ZhangXiaolin XiaW enbo 
     (SchoolofElectronicsandInformationEngineering,BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Beijing100191,China) 
    Abstract:Byusing thefolded—cascodestructure,the problem on high supplyvoltageofthe stacking 
trans—conductancestageandswitching—transistorstagewassolved.andthetrade—offamongthehightrans—con— 
ductance,highlinearityofthetrans—conductancestageandthelow noiseoftheswitching—transistorstagewere 
alsorealized.Implemented in aSMIC 0。18txm CMOSprocess,thelow—voltagecomplementarymetal—oxide 
semiconductor(CMOS)folded—cascodemixer(FCM)corehasanareaof165IxmX75Ixm.Whenthefre— 
quencyoftheradiofrequency(RF)signal,localoscillator(LO)signalandtheintermediatefrequency(IF) 
signalare 1575.42MHz,1570MHzand5.42MHz,respectively,thesimulationresultsshow thatthemixer 
featuresaconversiongain(Gf)of15dB,adualsideband(DSB)noisefigureof12.5dB,athird—orderinput 
interceptpoint(IIP3)of一0.4dBm,andconsumes3.8mW atapowersupplyvoltageof1.2V.Themixer 
canbeappliedtotheelectronicsystemswithintherealm oftheaviationaerospaee. 
    Keywords:CMOSintegratedcircuits;r
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