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现代材料动态 2013年 第4期 新型无铅高温焊料Sn—Sb—M (Ag，Cu，Ni)合金。。支 由奥地利维也纳大学领导的小组利 用 Calphad(相图和热化学计算机祸合)方法可靠的预 0了sn—sb—Ag和 sn—sb—Cuj元合 金系f热动力学性能。通过使用化学还原法制备的富Sn的纳米合金熔，_降低了11℃。 (蕈丽 摘译) 日本NIMS和理化学研究所共同开发 IWO薄膜晶体管 日本物质材料研究机构 (NIMS)利理化学研究所共 开发了活性层为氧化铟LI卜添加微量 氧化钨 (IWO薄膜)的金属氧化膜 品体管，作为液品等平板显示器用f薄膜晶体管 (TFT)。 与H前因高清晰化及触摸 化导致耗电增加的非晶硅薄膜TFT相比，IWO薄膜品体管的场效 应迁移率高数十倍，因此可有效地减小像素尺寸，大I旧抑制电力消耗。与作为下。代‘材料R． 已部分实用化的 一镓一氧化锌 (IGZO)薄膜市日比，可以简 的方法制造出质量优异的薄膜， 工艺及材料成本较低。 、I板显示器是通过每个像素的TFT反复进行电气on—off而形成影像的，为提高显示器 的清晰度需要增加像素的密度。非品硅 由于场效应迁移率较小，因此像素尺寸的减小是有限 l，像素密度越高，米 白背光灯的光通道I竹开 口就越窄，因此需要更强的光源，从而导敛耗 电增加，需要频繁充电。金属氧化物薄膜n丁解决上述问题，该材料的研发止在进行。最近有 在平板电脑4iJ智能手机上搭载 IGZO液品面板的报道 ，但获得稳定的IGZO薄膜的技术难度较 人， 目前能生产l佝只有夏普一家 业 。 研究小组在氧化铟粉末中添加少量氧化钨，烧结后制成靶材，在 Si0／si基板上进行DC 溅射，制成膜厚为 1O n勺IWO薄膜。制成尤保护膜的电极后I在 100℃的氮气L卜I进行退火 处理，材料仍保持非晶状态。在室温测试晶体管的特性，结果显示，IWO薄膜晶体管的场效 应迁移率为 18cm／Vs，阈值为0．7V，电流on／off比值为8．9×lO，上述数值符合实用化要 求。特别是迁移率是非品硅TFT(0．5～lcm／Vs)的数十倍，可有效地减小像素尺寸。 IWO薄膜晶体管与以前的金属氧化物品体管相比，其活性层的膜厚是以前的 1／5，且 需要保护膜 。退火温度也从 以前的350~C大幅降低 100~C，因此可节能并提高生产率，另 外还可使用耐热温度低的非玻璃基板材料。晶体管的特性也不逊色于低温退火处理的元件。 (杨晓婵 摘译) 日本东北大学等发现 Sn—Te半导体是一种新型绝缘体 日本东北人学 (原子分子材料科学高等研究机构大学院理学研究科)和人阪人学 (产 科学研究所)的研究小组发现，4O多年前就已知的热电材料 Sn-Te半导体是与以前物质完 伞 同的新型 “拓扑绝缘体”。该研究成果有望促进低耗电、高容量存储器及 白旋电子器件 的实用化研究进程。 拓扑绝缘体具有结晶内部为绝缘体但表而导电的性质。在表而承担导电的电子像质量为 零的粒子那样旋转移动，电子形成锥体形状，称为 “狄拉克锥”，以 致的自旋方向旋转移 动。这样很难有杂质混入，同．材料内部电子的移动速度更快。研究小组制备了高品质Sn-Te 品，利用角坐标分辩光电光谱法检测表面电子能量状态。结果 示，该材料与普通拓扑绝 缘体不同，表面形成×义层狄拉克锥，町能具有与以前拓扑绝缘体不同的物理性能利机械性能。 2 现代材料动态 2013年 第4期 该研究成果可应用于器件的开发，通过控制形成狄拉克锥的电子 白旋方向，开发存储器等元 件 。 (杨晓婵 摘译) 日本GS汤浅公司开发出PHEV