SiC欧姆接触特性.pdfVIP

2011年8月 西安电子科技大学学报(自然科学版) Aug．2011 第 38卷 第 4期 丁( 瓜NAI， 0F XⅡ)IAN UNIVERSITY V01．38 No．4 doi：10．3969／j．issn．1001-2400．2011．04．007 SiC欧姆接触特性 王 平 ，杨银堂。，郭立新 ，尚 韬 ，刘增基 (1．西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室，陕西 西安 710071；2．西安电子 科技大学理学院，陕西西安 710071；3．西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实 验室，陕西 西安 710071) 摘要：通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备 了4H-SiC欧 姆接触，对应退火条件分别为(950％：，Ar，30min)和 (1000~C，N2，2rain)．采用传输线法测试得到的比接 触电阻分别为1．359~10 n ·am和3．44x10_6Q ·am ．二次离子质谱分析表 明，高温退火过程中镍硅 化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性． 关键词 ：4H—SiC；欧姆接触；二次离子质谱 中图分类号：TN304．0 文献标识码：A 文章编号：1001-2400(2011)4043038-04 StudyoftheOhmiccontactpropertyofSiC WANGPing一，YANGYintang，GUOLixin，SHANGTao，LIUZengfi (1．StateKeyLab．ofIntegratedServiceNetworks，XidianUniv．，Xi’an 710071，China；2．Schoolof Science，Xidian Univ．，Xi’an 710071，China；3．Ministry ofEducation Key Lab．ofWide Band—Gap SemiconductorMaterialsandDevices，XidianUniv．，Xi’an 710071，China) Abstrad： Multi—layermetalOhmiccontactsto4H．SiCareinvestigatedontheN ionimplanted1ayerwith 950~C annealingin Arfor25 minutesand the n type epitaxiallayerwith a carrierconcentration of1．Ox 10 cm— with 1000~C annealing in N，for2 minutes．The specific contactresistancesobtained by the transmissi0刀linemefbod fTLM) are 1．359x10一n ．em and 3．44×lO一Q ．em ， respectively． SIMS measurementsshow thathteformationoftheNisilicideandtheTiCfacilitatestomakethecontactsbecomemore Ohmicafterannealing． KeyW ords： siliconcarbide；Ohmiccontacts；secondaryionmassspectrometry 紫外探测是继红外和激光探测之后发展起来的又一重要的光电探测技术，在医学、生物学和军事等领域 都具有非常广阔的应用前景H．宽带隙半导体材料碳化硅 (SiC)兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高 热导率等特点，在高温、大功率、高频、光电子以及抗辐射应用时具有明显优势 1-2]．SiC光探测器对可见光及 红外线辐射无响应，而对高频的紫外线辐射有明显的响应，因此非常适合于在红外及可见光背景下探测紫外 辐射．另外，该器件的反向漏电流