7740玻璃湿法腐蚀凹槽及槽内光刻图形的研究.pdfVIP

维普资讯 第 44卷 第 3期 厦 门大学学报 (自然科学版) 、’O1．¨ NO．3 2o05年 5月 JournalofXiarnenUniversity (NaturalScience) M aV 2(1¨5 7740玻璃湿法腐蚀 凹槽及槽 内光刻 图形的研究 郑志霞 ，林雁飞 ，冯勇建 (1．厦 门大学机 电工程系，2．厦门大学微机 电中心 ．福建 厦门 361005) 摘要 ：用玻璃腐蚀工艺制作MEMS器件，腐蚀非常困难．通过对PYREX7740玻璃在 Buffer溶液中腐蚀速率的研究发 现 ，PYREX7740玻璃腐蚀 1 m的槽需要 25min．而作为掩膜的光刻胶在腐蚀液中只能保持 i0min不浮胶．为此 ．文中详 细介绍了运用一次光刻 ．多次坚膜 ．多次腐蚀的工艺 ．来达到对 PYREX7740玻璃进行深腐蚀 的方法．实验结果表 明．光刻 胶厚度 、坚膜 时间 、坚膜次数和坚膜温度都与光刻胶的浮胶有关．最后给出了不同条件下凹槽深度与所需的曝光和显影时 间的关系 ．槽越深需要的曝光和显影时间越长 这对于用 PYREX77 玻璃制作 MEMS器件具有重要意义．一 关键词 ：微传感器；湿法腐蚀 ；曝光；显影 中图分类号 ：TN305 文献标识码 ：A 文章编号 ：0438—0479(2005)03—0370—03 玻璃具有较好的绝缘性、价格便宜、热稳定性和化 学稳定性好、容易和硅 片键合等特点 ，在 MEMS中常 1 腐蚀液对 7740玻璃及 BP212胶的腐 用来做绝缘层 和衬底．PYREX7740玻璃和硅片的热 蚀实验 膨胀系数差不多，键合后不易发生破裂，且在玻璃上溅 7740玻璃在 Buffer溶液 中的腐蚀速率较慢，要腐 射几百纳米的金属不会影响键合Hj，因此可以在 7740 蚀 2 m深的凹槽需要几十分钟时间，而 BP212光刻 玻璃上直接溅射金属作为各种微传感器、执行器、RF 胶在腐蚀液中十几分钟就会受破坏而浮胶 ，浮起的胶 射频开关 的衬底和 电极 ，这 比硅片重掺杂并溅射金属 颗粒掉进腐蚀槽 ，如图 1(a)、(b)所示，导致槽 内腐蚀 电极要经济得多 ，且工艺 比较简单 ．各种 电容式传感器 速率变慢且不平整 ，而槽外的玻璃开始腐蚀．本实验研 和 RF射频开关等要求两 电极 间有一腔体 ，传统 的工 究 7740玻璃 在腐蚀 液 中的腐蚀 速率 及不 同厚度 的 艺是在硅片上腐蚀 凹槽 ，并通过重掺杂、溅射金属来获 BP212光刻胶在腐蚀液 中的浮胶时间，提出通过多次 得腔体和电极．这种方法要经过标准清洗 、氧化 、光刻、 腐蚀 、多次坚膜 ，提高光刻胶 的耐腐蚀性的办法，以达 腐蚀 、去胶、标准清洗、扩散、氧化 、光刻 、溅射等一系列 到一次光刻就能腐蚀 出满足深度要求的凹槽． 工艺过程 ]．玻璃湿法腐蚀 凹槽并溅射金属来获得腔 1．1 实验步骤 体和 电极的方法 已被应用在 电容式传感器和 RF射频 1)清洗玻璃 ：将玻璃用丙酮和酒精超声波清洗 5 开关等器件上．7740玻璃在 Buffer溶液 中的腐蚀速率 min，再用重铬酸钾浸泡 24h后冲洗干净． 很慢 ，要腐蚀一