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基于ARM Cortex—M3的位移测量仪设计*
王鹏云
(宝鸡文理学院 电子 电气工程系，陕西 宝鸡 721016)
摘 要 ：本 系统 以ARM Crotex-M3为控制核心 ，利用线性可变差动 变压器完成微 小位移测量 ，系统
主要包括正弦信号激励源、差动变压器、信号测量、数据采集和位移控制 4个部分 ，辅 以相应 的模拟 电路 ，
能实现较精确的位移测量功能。
关键词 ：ARM Cortex—M3；位移测量 ；差动变压器
中图分类号 ：TP391．8 文献标志码 ：A
DesignoftheDisplacementM easurementbasedonARM Cortex-M 3
W ANG Pengyun
(DepartmentElectronic Electrical，BaojiUniversityofArtandSciences，Baoji721016，China)
Abstract：thepaperusedtheARM Crotex-M3asthecontrolcoreandthelinervaryingdifferentialtransformer(LVDT)
tocompletethesmalldisplacementmeasurement，thesystem includesincentivessinesignalsource，differentialtransformer，
signalmeasurementanddataacquisition，displacementcontro1．Andwithrelevantanalog circuits，thesystem canmeasure
thedisplacementprecisely．
Keywords：ARM Cortex-M3，Displacementmeasurement，Differentialtransformer
Cortex-M3是 ARM 公司最新一代、效率最高 入线圈长度增大，线 圈的电感 L也随之变大，其差
的32位处理器 内核 ，是 ARM 公司首次针对低成本 值 △L变大 。
应用提供的技术，该处理器内部的数据路径，寄存器 对于螺绕环其电感量为 ：
以及存储器接 口均为 32位。采用哈佛结构 ，拥有独 L0一 。 sl (1)
立指令总线和数据总线 ，具有突出性能优势 ，是当前 当插入磁棒后 ，电感量为：
32位嵌入式系统 的主流平台。 L1一 0 。sAl+,uo，2。s(￡一 AI)一
本文设计了基于 ARM 公司 Cortex-M3的位移 o sZ+ 。(，一 1) sAl (2)
测量仪，系统是功耗低、实时性好、成本低 的整体解 所以电感量的变化量 ：
决方案_l1]。 AL—Ll—L0一 0(，一 1)n sAl—kAl (3)
即电感量 的变化量 △L与磁棒 的位移量 △Z成
1 系统组成原理 [2]
正 比。故有 ：
1．1 系统理论分析 fU。一L2+△L
系统设计主要有 4个部分 ：正弦信号激励源、差 } L。
动变压器、信号测量、数据采集与位移控制等电路。 lu6一L3一△L
1 。 L。
正 弦信号激励 源采 用直接数
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