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第27 卷 第9 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 27 No. 9
2012 年9 月 Journal of Inorganic Materials Sep., 2012
文章编号: 1000-324X(2012)09-0897-09 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.11785
用于 GaN 基发光二极管的蓝宝石图形衬底制备进展
1 1 1 1 1,2
崔 林 , 汪桂根 , 张化宇 , 周福强 , 韩杰才
(1. 哈尔滨工业大学 深圳研究生院, 深圳518055; 2. 哈尔滨工业大学 复合材料与结构研究所, 哈尔滨 150080)
摘 要: 近几年, 图形化蓝宝石衬底因其作为GaN 基发光二极管外延衬底, 不仅能降低GaN 外延薄膜的线位错密度,
还能提高LED 的光提取效率而引起国内外许多科研机构的广泛研究兴趣. 本文综述了图形化蓝宝石衬底提高GaN
基发光二极管性能的作用机理, 重点评述了目前图形化蓝宝石衬底的制备方法(湿法刻蚀、干法刻蚀、固相反应)和
图形尺寸(微米图形化、纳米图形化), 分析比较了不同制备方法和图形尺寸制备蓝宝石图形衬底对 GaN 基发光二
极管性能改善, 最后针对蓝宝石图形衬底制备存在的问题对其今后的发展方向做出了展望.
关 键 词: 图形化蓝宝石衬底; 氮化镓; 发光二极管; 横向外延过生长; 综述
中图分类号: TN304 文献标识码: A
Progress in Preparation of Patterned Sapphire Substrate for GaN-based Light
Emitting Diodes
1 1 1 1 1,2
CUI Lin , WANG Gui-Gen , ZHANG Hua-Yu , ZHOU Fu-Qiang , HAN Jie-Cai
(1. Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen 518055, China; 2. Center for Composite Materials,
Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China)
Abstract: GaN-based light emitting diodes are extensively used for light emitting diodes in the green to ultraviolet
(UV) wavelength region and have already been widely used in traffic signals, outdoor displa
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